德克萨斯仪器股份有限公司J·A·韦斯特获国家专利权
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龙图腾网获悉德克萨斯仪器股份有限公司申请的专利用于对跨无机电隔离屏障的超快高压瞬变实现高抗扰度的工艺和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113678252B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080024842.4，技术领域涉及：H10D84/40；该发明授权用于对跨无机电隔离屏障的超快高压瞬变实现高抗扰度的工艺和方法是由J·A·韦斯特;T·D·博尼费尔德;Y·达科;M·杉本设计研发完成，并于2020-03-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于对跨无机电隔离屏障的超快高压瞬变实现高抗扰度的工艺和方法在说明书摘要公布了：一种微电子装置100包含具有上板132和下板130的高压部件104。在微电子装置的基底102的表面处，上板通过上板和低压元件106之间的主电介质136与下板隔离。下带隙电介质层140设置在上板和主电介质之间。下带隙电介质层包含折射率在2.11和2.23之间的氮化硅的至少一个子层144。下带隙电介质层围绕上板连续延伸超过上板。下带隙电介质层具有环绕上板的隔离断口150，该隔离断口距上板的距离是下带隙电介质层的厚度的至少两倍。
本发明授权用于对跨无机电隔离屏障的超快高压瞬变实现高抗扰度的工艺和方法在权利要求书中公布了：1.一种微电子装置，其包括： 所述微电子装置的高压电容器的下板； 所述高压电容器的上板； 设置在所述下板和所述上板之间的至少2微米厚的主电介质；以及 设置在所述主电介质和所述上板之间的下带隙电介质层，其中： 所述下带隙电介质层至少包括折射率在2.11-2.23的范围内的氮化硅的第一子层； 所述下带隙电介质层围绕所述上板连续延伸越过所述上板达一定距离，所述距离是所述下带隙电介质层的厚度的至少两倍； 所述下带隙电介质层中具有隔离断口，使得所述下带隙电介质层在所述隔离断口处不连续；以及 所述隔离断口环绕所述上板。
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