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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113471208B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110346429.6，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权半导体器件是由D.郑;金英宇;金宰成;印炯烈设计研发完成，并于2021-03-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件在说明书摘要公布了：本公开提供了半导体器件。一种半导体器件包括：基板，具有第一区域和第二区域；栅电极，在第一区域中在垂直于基板的上表面的第一方向上堆叠且彼此间隔开，并在第二区域中沿着垂直于第一方向的第二方向以不同的长度延伸；第一分隔区域，在第一区域和第二区域中穿透栅电极，在第二方向上延伸，并在垂直于第一方向和第二方向的第三方向上彼此间隔开；第二分隔区域，在第二区域中穿透栅电极，在第一分隔区域之间在第二方向上延伸并在第二方向上彼此间隔开；以及第一垂直结构，在第二区域中穿透栅电极并最靠近第一区域，其中第二分隔区域在第三方向上的宽度大于第一垂直结构的宽度，第二分隔区域的与第一区域相邻的第一端点在第二方向上与第一垂直结构的中心轴线间隔开，并与第一垂直结构的中心轴线相比更远离第一区域。

本发明授权半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 基板，具有第一区域和第二区域； 多个栅电极，在所述第一区域中在垂直于所述基板的上表面的第一方向上堆叠且彼此间隔开，并在所述第二区域中包括通过所述多个栅电极中的一些沿着垂直于所述第一方向的第二方向以不同的长度延伸而提供的多个焊盘区域； 多个第一分隔区域，在所述第一区域和所述第二区域中穿透所述多个栅电极，在所述第二方向上延伸，并在垂直于所述第一方向和所述第二方向的第三方向上彼此间隔开； 多个第二分隔区域，在所述多个第一分隔区域之间穿透所述多个栅电极，并包括在所述第二方向上从所述第一区域延伸到所述第二区域中的第二主分隔区域和在所述第二方向上从所述第二区域延伸并在所述第三方向上与所述第二主分隔区域间隔开的第二辅助分隔区域； 多个沟道结构，穿透所述多个栅电极，在所述基板上垂直地延伸，并布置在所述第一区域中；以及 多个虚设沟道结构，穿透所述多个栅电极，在所述基板上垂直地延伸，并布置在所述第二区域中， 其中所述多个焊盘区域包括由所述多个栅电极当中的最上面的第一栅电极提供的第一焊盘区域和由在所述第一栅电极下面的第二栅电极提供的第二焊盘区域， 所述多个虚设沟道结构包括穿透所述第一焊盘区域并与所述第一区域相邻地布置的一对第一虚设沟道结构以及与所述第一栅电极的第一端相邻地布置的一对第二虚设沟道结构， 所述第二辅助分隔区域布置在彼此相邻的所述第一焊盘区域之间，并具有与所述第一虚设沟道结构相邻的第一边缘部分和在所述第一边缘部分上最靠近所述第一区域的第一端点， 所述第一虚设沟道结构的中心轴线在所述第二方向上与所述第二虚设沟道结构的中心轴线间隔开第一距离， 所述第二辅助分隔区域的所述第一边缘部分在所述第二方向上与所述第一虚设沟道结构的中心轴线间隔开小于所述第一距离的第二距离，以及 所述多个沟道结构之中的最靠近所述第二区域的第一沟道结构在所述第二方向上与所述第一虚设沟道结构间隔开的距离小于所述第一沟道结构在所述第二方向上与所述第二辅助分隔区域的所述第一端点间隔开的距离。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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