上海睿驱微电子科技有限公司陆界江获国家专利权
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龙图腾网获悉上海睿驱微电子科技有限公司申请的专利一种增强型沟槽栅IGBT及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113314587B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110509313.X，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种增强型沟槽栅IGBT及其形成方法是由陆界江;吴磊;李娇设计研发完成，并于2021-05-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种增强型沟槽栅IGBT及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种增强型沟槽栅IGBT及其形成方法，设置发射极、N+发射区、P基区、沟槽栅、虚拟多晶硅、浮动P区、n‑截止区和n‑漂移区；虚拟多晶硅的两侧分别与沟槽栅之间设置浮动P区，沟槽栅之间除设置虚拟多晶硅和浮动P区之外的区域设置P基区，P基区表面两侧设置N+发射区，所述P基区和浮动P区均设置于n‑漂移区的上方；n‑漂移区的下方设置n‑截止区，n‑型截止区的下方设置p型集电极区，p型集电极区的下方连接集电极。由于虚拟沟道中的p区与多晶硅和外发射极电极之间的连接以及独特的栅结构的引入，使得从浮动p区到有源栅电极的位移电流较小，从而获得良好的didt可控性。
本发明授权一种增强型沟槽栅IGBT及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种增强型沟槽栅IGBT，其特征在于，包括：设置发射极、N+发射区、P基区、沟槽栅、虚拟多晶硅、浮动P区、n-截止区和n-漂移区；虚拟多晶硅的两侧分别与沟槽栅之间设置浮动P区，沟槽栅之间除设置虚拟多晶硅和浮动P区之外的区域设置P基区，P基区表面两侧设置N+发射区，所述P基区和浮动P区均设置于n-漂移区的上方；n-漂移区的下方设置n-截止区，n-型截止区的下方设置p型集电极区，p型集电极区的下方连接集电极；所述沟槽栅外层靠近浮动P区一侧的栅氧化层比靠近P基区一侧的栅氧化层厚；加大所述沟槽栅底部栅极氧化膜的厚度；所述虚拟多晶硅为两个，且两个虚拟多晶硅分离并且中间间隔窄P基区，两个虚拟多晶硅与发射极相连。
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