三星电子株式会社尹明远获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利非易失性存储器设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113257320B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110078483.7，技术领域涉及：G11C16/26；该发明授权非易失性存储器设备是由尹明远;尹在鹤;任载禹;朱相炫设计研发完成，并于2021-01-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本非易失性存储器设备在说明书摘要公布了：一种非易失性存储器设备，包括处理电路，处理电路被配置为向第一字线施加子电压，基于连接到第一字线的多个第一存储器单元的阈值电压分布确定期望的第一读取电压，向第二字线施加子电压，基于连接到第二字线的多个第二存储器单元的阈值电压分布确定期望的第二读取电压，在同时读取连接到第一字线的第一存储器单元时向第一字线施加期望的第一读取电压，并且在同时读取连接到第二字线的第二存储器单元时向第二字线施加期望的第二读取电压，期望的第二读取电压与期望的第一读取电压不同。
本发明授权非易失性存储器设备在权利要求书中公布了：1.一种非易失性存储器设备，包括： 存储器，包括第一存储器组和第二存储器组，所述第一存储器组包括多条第一字线，并且所述第二存储器组包括与所述多条第一字线不同的多条第二字线；以及 处理电路，被配置为： 同时向所述多条第一字线施加子电压， 基于响应于向所述多条第一字线施加所述子电压而感测的连接到所述多条第一字线的多个第一存储器单元的阈值电压分布，确定期望的第一读取电压， 同时向所述多条第二字线施加所述子电压， 基于响应于向所述多条第二字线施加所述子电压而感测的连接到所述多条第二字线的多个第二存储器单元的阈值电压分布，确定期望的第二读取电压， 在同时读取连接到所述多条第一字线的所述多个第一存储器单元时，向所述多条第一字线施加所述期望的第一读取电压，以及 在同时读取连接到所述多条第二字线的所述多个第二存储器单元时，向所述多条第二字线施加所述期望的第二读取电压，所述期望的第二读取电压与所述期望的第一读取电压不同。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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