三星电子株式会社河龙获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113130629B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010998536.2，技术领域涉及：H10D62/13；该发明授权半导体器件是由河龙;金东宇;金傔;金容丞;朴判贵;李承勋设计研发完成，并于2020-09-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件在说明书摘要公布了：一种半导体器件，包括：有源图案，在第一方向上延伸；沟道图案，在有源图案上，并且包括竖直堆叠的半导体图案；源极漏极图案，在有源图案中的凹部中；栅电极，在有源图案上并在与第一方向交叉的第二方向上延伸，栅电极围绕每个半导体图案的顶表面、至少一个侧表面和底表面；以及栅极间隔物，覆盖栅电极的侧表面，并且具有向半导体图案的开口，其中，源极漏极图案包括覆盖凹部的内侧的缓冲层，缓冲层包括彼此相对的外侧表面和内侧表面，并且外侧表面和内侧表面中的每一个是朝向栅电极凸出地弯曲的弯曲表面。
本发明授权半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 第一有源图案，在衬底的第一有源区上，所述第一有源图案在第一方向上延伸； 第一沟道图案，在所述第一有源图案上，所述第一沟道图案包括竖直堆叠的半导体图案； 第一源极漏极图案，在所述第一有源图案的上部中的凹部中； 栅电极，在所述第一有源图案上并在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸，所述栅电极围绕所述半导体图案中每一个的顶表面、至少一个侧表面和底表面；以及 栅极间隔物，覆盖所述栅电极的侧表面，并且具有向所述半导体图案的开口， 其中： 所述第一源极漏极图案包括覆盖所述凹部的内侧的缓冲层， 当在平面图中观察时，所述缓冲层包括彼此相对的外侧表面和内侧表面，并且 所述外侧表面和所述内侧表面中的每一个是朝向与所述缓冲层最靠近的栅电极凸出地弯曲的弯曲表面。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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