三星电子株式会社朴正敏获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利电容器结构和包括该电容器结构的半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112993158B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011097721.0，技术领域涉及：H10N97/00；该发明授权电容器结构和包括该电容器结构的半导体装置是由朴正敏;金海龙;金润洙;朴影根设计研发完成，并于2020-10-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本电容器结构和包括该电容器结构的半导体装置在说明书摘要公布了：公开了一种电容器结构和一种包括该电容器结构的半导体装置，所述电容器结构包括：下电极，位于基底上；种子层，位于下电极上；介电层，位于种子层上；以及上电极，位于介电层上，其中，介电层包括化学式为ABO3的三元金属氧化物，其中，A和B中的每个独立地为金属，并且种子层包括化学式为ABO3‑x的三元金属氧化物，化学式为ABO3‑x的三元金属氧化物中的A和B中的每个是与化学式为ABO3的三元金属氧化物中的A和B相同的金属，0x3，并且x是实数。
本发明授权电容器结构和包括该电容器结构的半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种电容器结构，所述电容器结构包括： 下电极，位于基底上； 种子层，位于下电极上； 介电层，位于种子层上；以及 上电极，位于介电层上， 其中： 介电层包括SrTiO3、BaTiO3或CaTiO3，并且 种子层包括SrTiO3-x、BaTiO3-x或CaTiO3-x，其中，0x3，并且x是实数，使得当介电层包括SrTiO3时，种子层包括SrTiO3-x，当介电层包括BaTiO3时，种子层包括BaTiO3-x，并且当介电层包括CaTiO3时，种子层包括CaTiO3-x，并且 介电层的SrTiO3、BaTiO3或CaTiO3直接接触种子层的SrTiO3-x、BaTiO3-x或CaTiO3-x。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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