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龙图腾网获悉常州时创能源股份有限公司申请的专利硅片制绒产线获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112909133B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110324971.1，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权硅片制绒产线是由马琦雯;邓舜设计研发完成，并于2021-03-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本硅片制绒产线在说明书摘要公布了：本发明公开了一种硅片制绒产线，包括按先后工序依次设置的：链式氧化炉，第一链式酸洗机，第一插片机，氧化槽，第一清水槽，制绒槽，第二清水槽，第二插片机，第二链式酸洗机，链式烘干炉。本发明在制绒槽前道设置链式氧化炉，可在制绒之前，在链式氧化炉中对硅片进行高温氧化处理，使硅片表面的有机脏污分解，可完全去除硅片表面的有机脏污，可避免因有机脏污残留在硅片表面而使制绒出现白斑、亮点等问题。

本发明授权硅片制绒产线在权利要求书中公布了：1.硅片制绒产线的生产过程，其特征在于： 所述硅片制绒产线，包括按先后工序依次设置的：链式氧化炉，第一链式酸洗机，第一插片机，氧化槽，第一清水槽，制绒槽，第二清水槽，第二插片机，第二链式酸洗机，链式烘干炉；链式氧化炉内置刚玉轴和加热灯管；第一链式酸洗机包括按先后工序依次设置的：酸洗区，漂洗区；第一链式酸洗机的酸洗区设有带液滚轮和喷头，第一链式酸洗机的漂洗区设有滚轮和喷头；第二链式酸洗机包括按先后工序依次设置的：酸洗区，漂洗区；所述第二链式酸洗机的酸洗区设有带液滚轮和喷头，第二链式酸洗机的漂洗区设有滚轮和喷头； 所述生产过程包括： 1若干片硅片进入链式氧化炉进行高温氧化处理，高温氧化处理的温度为300～800℃，时间为180～250s，使硅片表面的有机脏污分解，以去除硅片表面的有机脏污，且硅片表面形成SiO2层； 2经过步骤1处理后的硅片进入第一链式酸洗机的酸洗区进行2～6min常温酸洗，以去除硅片表面的SiO2层；酸洗所用酸液由5wt%～10wt%HF和余量的去离子水配制而成； 3经过步骤2处理后的硅片进入第一链式酸洗机的漂洗区进行3～9min常温漂洗，以去除硅片表面残留的酸液； 4经过步骤3处理后的硅片经第一插片机插片后进入氧化槽进行再次氧化，时间为2～3min，温度为60～70℃，使硅片表面再次形成SiO2层，以使硅片表面处于亲水态，且再次形成的SiO2层的厚度控制在0.2～0.6nm，该SiO2层不会影响制绒，有利于制绒；氧化槽中的氧化处理液由2wt%～6wt%H2O2、1wt%～3wt%无机碱和余量的去离子水配制而成；无机碱选择KOH或NaOH； 5经过步骤4处理后的硅片进入第一清水槽常温漂洗3～5min，以去除硅片表面残留的氧化处理液； 6经过步骤5处理后的硅片进入制绒槽于75～85℃制绒6～8min，在硅片表面形成绒面结构；制绒槽中的制绒液由0.5wt%～1wt%制绒添加剂、1wt%～3wt%无机碱和余量为去离子水配制而成；无机碱选择KOH或NaOH； 7经过步骤6处理后的硅片进入第二清水槽常温漂洗3～5min，以去除硅片表面残留的制绒液； 8经过步骤7处理后的硅片经第二插片机放片后进入第二链式酸洗机的酸洗区进行2～6min常温酸洗，以去除硅片表面的氧化层和金属离子；酸洗所用酸液由5wt%～10wt%HF、5wt%～10wt%HCL和余量的去离子水配制而成； 9经过步骤8处理后的硅片进入第二链式酸洗机的漂洗区进行3～9min常温漂洗，以去除硅片表面残留的第二酸液； 10经过步骤9处理后的硅片进入链式烘干炉中，于80～90℃烘干10～30min。

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