苏州晶湛半导体有限公司程凯获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州晶湛半导体有限公司申请的专利一种增强型器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111863954B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910336804.1，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种增强型器件及其制备方法是由程凯设计研发完成，并于2019-04-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种增强型器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种增强型器件及其制备方法，该增强型器件采用垂直或者半垂直结构，制备非极性面或半极性面的氮化物异质结，使二维电子气在此处中断，获得了增强型器件。
本发明授权一种增强型器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种增强型器件，所述增强型器件为多层外延结构，其特征在于，所述增强型器件依次包括： 高掺杂n型氮化物层； 设于所述高掺杂n型氮化物层上的低掺杂n型氮化物层； 设于所述低掺杂n型氮化物层上的隔离层，所述隔离层之间设有沟槽； 直接形成于所述隔离层表面以及侧壁上的氮化物沟道层； 设于所述氮化物沟道层表面以及侧壁上的氮化物势垒层；所述氮化物沟道层和氮化物势垒层存在非极性面，至少有部分二维电子气是中断的，所述非极性面对应的所述氮化物沟道层远离所述隔离层的表面与所述非极性面对应的所述氮化物势垒层远离所述隔离层的表面平行设置； 设于所述氮化物势垒层侧壁之间的栅极结构； 设于所述氮化物势垒层表面的源电极； 设于与所述高掺杂n型氮化物层接触的漏电极； 其中，所述栅极结构露出所述非极性面的异质结作为垂直导电沟道，所述隔离层包括半绝缘层，所述隔离层在室温下电阻率不小于104Ω·cm，所述半绝缘层为对氮化物层进行非故意掺杂、碳掺杂、铁掺杂中一种或多种来实现。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人苏州晶湛半导体有限公司，其通讯地址为：215123 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号西北区20幢517-A室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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