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龙图腾网获悉重庆大学申请的专利一种靶向修饰的高导电纳米颗粒增强细胞电穿孔装置及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111763620B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010521190.7，技术领域涉及：C12M1/42；该发明授权一种靶向修饰的高导电纳米颗粒增强细胞电穿孔装置及方法是由米彦;刘权;代璐健;吴晓;陈嘉诚设计研发完成，并于2020-06-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种靶向修饰的高导电纳米颗粒增强细胞电穿孔装置及方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种靶向修饰的高导电纳米颗粒增强细胞电穿孔装置及方法；装置包括纳秒脉冲发生器和纳米电极。方法是通过纳米颗粒局部放大细胞周围的电场强度，从而增强脉冲电场诱导的细胞电穿孔效应，步骤为：1确定目标细胞的类型，获取目标细胞的靶向配体；2将表面具有目标细胞靶向配体方纳米电极与目标细胞接触或将纳米电极延伸入目标细胞；3预设脉冲参数；4高压直流电源对储能电容充电；5充电结束后，FPGA模块基于预设的脉冲参数控制MOSFET开关组的通断，进而控制纳米电极输出的脉冲参数；6纳米电极利用脉冲对目标细胞进行穿孔。本发明能够在较低的脉冲电场强度作用下实现更高效的细胞电穿孔。

本发明授权一种靶向修饰的高导电纳米颗粒增强细胞电穿孔装置及方法在权利要求书中公布了：1.一种靶向修饰的高导电纳米颗粒增强细胞电穿孔装置，其特征在于，包括纳秒脉冲发生器和纳米电极； 所述纳秒脉冲发生器和纳米电极信号线连接； 所述纳秒脉冲发生器向目标细胞和纳米电极发送激励脉冲； 所述纳米电极与目标细胞相接触或延伸入目标细胞；目标细胞为人源A375黑色素瘤细胞； 当纳米电极接收到激励脉冲后，对激励脉冲电场强度进行增强，并向目标细胞发送增强后的激励脉冲信号，增强目标细胞电穿孔效应； 所述纳米电极为若干高导电纳米粒子；每个高导电纳米粒子表面具有目标细胞的靶向配体；所述目标细胞的靶向配体为叶酸； 所述高导电纳米粒子为金纳米棒； 所述目标细胞接收到激励脉冲和增强后的激励脉冲信号后，发生穿孔； 所述纳秒脉冲发生器包括高压直流电源、储能电容、FPGA模块和MOSFET开关组； 所述高压直流电源对储能电容充电； 所述储能电容通过MOSFET开关组向纳米电极发送激励脉冲； 所述FPGA模块控制MOSFET开关组的通断，进而控制激励脉冲的持续时间和个数。

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