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龙图腾网获悉上海瞬雷科技有限公司申请的专利GPP单向瞬间电压抑制二极管芯片及其生产方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111640788B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010615164.0，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权GPP单向瞬间电压抑制二极管芯片及其生产方法是由王军明;盛锋;李晖设计研发完成，并于2020-06-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本GPP单向瞬间电压抑制二极管芯片及其生产方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种GPP单向瞬间电压抑制二极管芯片及其生产方法，包括：N++层4、P+层5和P++层6；所述P++层6的上表面包括平面部分和沿所述平面部分的边缘环绕设置的腐蚀沟槽1；所述P+层5设置于所述P++层6的上侧，所述N++层4设置于所述P+层5的上侧；所述N++层4的侧面、所述P+层5的侧面以及所述腐蚀沟槽1内设置有钝化玻璃2。采用P+衬底，由于P+衬底均一性更佳，产品VB更加均匀，符合瞬间电压抑制二极管特性。采用倒梯形沟槽形状，避免了光刻胶掩膜的鸟嘴形状，提高电泳玻璃的均一性，减少尖端放电的风险。

本发明授权GPP单向瞬间电压抑制二极管芯片及其生产方法在权利要求书中公布了：1.一种GPP单向瞬间电压抑制二极管芯片的生产方法，其特征在于，包括： 步骤1：对P+型硅片表面进行清洗； 步骤2：使用3Lmin氮气携带10℃的三氯氧磷，在1000℃扩散2小时，在硅片表面形成N++层； 步骤3：使用氢氟酸浸泡30min，去除扩散造成的氧化层； 步骤4：反面使用喷砂机，去除30±3微米厚度，去掉底面的N++层； 步骤5：表面进行清洗； 步骤6：背面涂10%浓度的液态硼源，使用3000转min的速度涂源，1250℃扩散20小时，形成P++层； 步骤7：使用氢氟酸浸泡30min，去除扩散造成的氧化层； 步骤8：在1150℃下通入水蒸气进行氧化24小时，使得到的氧化层厚度达到3微米； 步骤9：使用划片机划出需要芯片的尺寸； 步骤10：使用台硝酸在-10℃的情况下腐蚀10min，使用氧化层作为掩膜，腐蚀后得到腐蚀沟槽；所述P++层6的上表面包括平面部分和沿所述平面部分的边缘环绕设置的所述腐蚀沟槽1，所述腐蚀沟槽1呈半个倒梯形，所述平面部分的宽度与所述N++层4、所述P+层5的宽度相同； 步骤11：洗净腐蚀沟槽； 步骤12：使用100g玻璃粉倒入硝酸镧溶液中，超声波使玻璃粉带电，在电极电压180V情况下电泳2分钟，玻璃粉在电场的作用下，均匀生长在沟槽中，厚度达到20±3微米； 步骤13：在800℃炉温下烧30min，使生长的玻璃粉融化； 步骤14：对硅片表面进行清洗； 步骤15：800℃下采用LPCVD在硅片表面生长3000±300埃厚度氧化层，补足挖槽对原始氧化层的损伤； 步骤16：在硅片表面涂敷粘度450的负性光刻胶，膜厚8微米； 步骤17：使用光刻板在光刻机下曝光，在生长的玻璃粉外围留下20微米宽度； 步骤18：用显影液洗掉未曝光的部分； 步骤19：135℃烘烤30min，使光刻胶硬化； 步骤20：去掉没有光刻胶保护部分的氧化层； 步骤21：使用硫酸和双氧水20%溶液80℃去除光刻胶； 步骤22：化学镀镍，厚度1微米； 步骤23：600℃下镍扩散入硅片中的一部分,形成硅镍合金层。

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