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龙图腾网获悉全球能源互联网研究院有限公司申请的专利一种功率半导体器件高温偏置测试系统和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111537859B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010353691.9，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权一种功率半导体器件高温偏置测试系统和方法是由崔梅婷;张雷;刘颖含;张祎慧;李金元;金锐设计研发完成，并于2020-04-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种功率半导体器件高温偏置测试系统和方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种功率半导体器件高温偏置测试系统和方法，系统包括控制模块1、温控模块3、检测模块4、测试通道5和电源模块2；利用检测模块4同时检测功率半导体器件的栅极漏电流、栅极电压、集射极漏电流和集射极电压，且能够实现相同或不同规格的功率半导体器件进行高温栅偏测试和高温阻断测试的单项或双项测试，兼容性好，能够满足批量测试需求，无需配备多台测试系统，成本低，测试效率高，且维护方便，各条测试支路相互独立，彼此安全隔离，相互之间的影响小，检测准确，可靠性高；严格保证了测试电压和测试结温的要求，提高了测试系统的兼容性、利用率和准确性。

本发明授权一种功率半导体器件高温偏置测试系统和方法在权利要求书中公布了：1.一种功率半导体器件高温偏置测试系统，其特征在于，包括：控制模块1、温控模块3、检测模块4、测试通道5和电源模块2；所述控制模块1与温控模块3、检测模块4和电源模块2分别连接； 被测功率半导体器件设置于测试通道5上； 所述控制模块1下发温度控制指令给温控模块3并对温控模块3进行温度控制，同时利用检测模块4检测所述功率半导体器件的栅极漏电流、栅极电压、集射极漏电流和集射极电压； 所述电源模块2包括低压电源单元21和高压电源单元22； 所述测试通道5包括多个测试支路，所述多个测试支路并联后，连接于所述低压电源单元21和高压电源单元22之间； 所述低压电源单元21的正极通过每个测试支路与每个功率半导体器件的栅极连接，所述高压电源单元22的正极通过每个测试支路与每个功率半导体器件的集电极连接，所述低压电源单元21的负极和所述高压电源单元22的负极均通过每个测试支路与每个功率半导体器件的发射极连接； 所述检测模块4包括栅偏检测单元41和阻断检测单元42，所述栅偏检测单元41用于检测功率半导体器件的栅极漏电流和栅极电压，所述阻断检测单元42用于检测功率半导体器件的集射极漏电流和集射极电压。

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