台湾积体电路制造股份有限公司廖诗瑀获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223745205U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423257698.3，技术领域涉及：H10F77/50；该实用新型半导体装置是由廖诗瑀;刘陶承设计研发完成，并于2024-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：本文所述的一些实施例提供半导体装置包含具背侧透射区的光学装置以及制造方法。半导体装置包含第一半导体装置堆叠于第二半导体装置上方，其中第一半导体装置包含光电二极管，以及第二半导体装置包含背侧透射区。背侧透射区位于第一半导体装置中的光电二极管下方，包含具高反射性结构的沟槽结构，及或此沟槽结构具维持光波传输穿透背侧透射区的光强度的性质。沟槽结构内的空缺会减少干扰的可能性，此可能导致其他与透射区相关的透射损失如反射损失、吸收损失、散射损失，及或模态不匹配损失，其中透射区相邻于光电二极管结构。
本实用新型半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，包含： 一第一半导体装置包含： 一光电二极管结构；以及 一第二半导体装置，位于该第一半导体装置下方，沿着一键合线与该第一半导体装置接合，以及包含： 一背侧透射区，包含一沟槽结构， 其中该沟槽结构以与该键合线呈正交的一方向配置，以及 其中该沟槽结构是配置于将多个光波传送进入该第一半导体装置，以传输至该光电二极管结构。
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