苏州华太电子技术股份有限公司宋锴焱获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州华太电子技术股份有限公司申请的专利理想二极管封装组件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223745187U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520263410.9，技术领域涉及：H10D80/20；该实用新型理想二极管封装组件是由宋锴焱;汪榕;徐丹丹;刘欣;袁宋妍设计研发完成，并于2025-02-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本理想二极管封装组件在说明书摘要公布了：本申请公开了一种理想二极管封装组件，包括基板；开关结构，包括连接组件、控制芯片、开关芯片和电容元件，开关芯片具有设于一侧面的第一电极及设于另一侧面的第二电极和控制电极，连接组件包括埋设于基板内部的多个第一导电结构和凸出于基板表面的多个第二导电结构，控制芯片通过第一导电结构连接于第一电极及电容元件，且控制芯片通过第一导电结构与第二导电结构的配合连接于第二电极和控制电极；其中，第一导电结构为金属线结构，第二导电结构为条带键合片结构。本申请提供的理想二极管封装组件，各元件之间连接简单，降低了整体的封装难度及成本。
本实用新型理想二极管封装组件在权利要求书中公布了：1.一种理想二极管封装组件，其特征在于，包括： 基板100； 开关结构200，包括连接组件10、控制芯片20、开关芯片30和电容元件40，所述开关芯片30具有设于一侧面的第一电极31及设于另一侧面的第二电极32和控制电极33，所述连接组件10包括埋设于所述基板100内部的多个第一导电结构11和凸出于所述基板100表面的多个第二导电结构12，所述控制芯片20通过所述第一导电结构11连接于所述第一电极31及所述电容元件40，且所述控制芯片20通过所述第一导电结构11与第二导电结构12的配合连接于所述第二电极32和所述控制电极33； 其中，所述第一导电结构11为金属线结构，所述第二导电结构12为条带键合片结构。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人苏州华太电子技术股份有限公司，其通讯地址为：215000 江苏省苏州市中国(江苏)自由贸易试验区苏州片区苏州工业园区星湖街328号创意产业园10-1F；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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