台湾积体电路制造股份有限公司黄冠达获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223745185U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423089892.5，技术领域涉及：H10D30/62；该实用新型半导体装置结构是由黄冠达;江芃萱;林立德设计研发完成，并于2024-12-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置结构在说明书摘要公布了：本实用新型实施例提供半导体装置结构。半导体装置结构包括设置在基板上方的第一栅极电极层，并且第一栅极电极层在第一方向上延伸。结构还包括设置在基板上方的第二栅极电极层，并且第二栅极电极层在第一方向上延伸。结构还包括设置在第一栅极电极层的第一侧上的第一源极漏极区，并且第一源极漏极区沿着大抵垂直于第一方向的第二方向具有第一恒定宽度。结构还包括设置在第一栅极电极层的与第一侧相对的第二侧上的第二源极漏极区，并且第二源极漏极区沿着第二方向具有变化的宽度。
本实用新型半导体装置结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置结构，其特征在于，包括： 一第一栅极电极层，设置在一基板上方，其中上述第一栅极电极层在一第一方向上延伸； 一第二栅极电极层，设置在上述基板上方，其中上述第二栅极电极层在上述第一方向上延伸； 一第一源极漏极区，设置在上述第一栅极电极层的一第一侧上，其中上述第一源极漏极区沿着大抵垂直于上述第一方向的一第二方向具有一第一恒定宽度；以及 一第二源极漏极区，设置在上述第一栅极电极层的与上述第一侧相对的一第二侧上，其中上述第二源极漏极区沿着上述第二方向具有一变化的宽度。
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