台湾积体电路制造股份有限公司张瑞文获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223745183U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423089735.4，技术领域涉及：H10B10/00；该实用新型半导体装置是由张瑞文;张峰铭;陈瑞麟;洪连嵘;王屏薇设计研发完成，并于2024-12-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：本公开提供一种半导体装置。半导体装置包括具有第一侧的第一存储器阵列；具有面对第一侧的第二侧的第二存储器阵列；以及井接脚区域，介于沿第一侧的第一存储器阵列与沿第二侧的第二存储器阵列之间，井接脚区域具有各含n井分接单元的第一区域和第二区域以及介于第一与第二区域之间并含p井分接单元的中间区域，其中第一区域的第一边缘区域沿着第一存储器阵列的第一侧布置，并且第二区域的第二边缘区域沿着第二存储器阵列的第二侧布置；其中p井分接单元包括连续氧化定义OD区域，用于为第一及第二存储器阵列中的P‑N接面提供逆向偏压。
本实用新型半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，包括： 一第一存储器阵列区域，具有一第一侧； 一第二存储器阵列区域，具有面对上述第一侧的一第二侧，其中上述第一存储器阵列区域与上述第二存储器阵列区域包括多个静态随机存取存储器单元；以及 一井接脚区域，设置于沿着上述第一侧的上述第一存储器阵列区域与沿着上述第二侧的上述第二存储器阵列区域之间，上述井接脚区域具有包含一第一n井分接单元的一第一区域、包含一第二n井分接单元的一第二区域、以及设置于上述第一区域与上述第二区域之间并且包含一p井分接单元的一中间区域，其中上述第一区域的一第一边缘区域沿着上述第一存储器阵列区域的上述第一侧布置，并且上述第二区域的一第二边缘区域沿着上述第二存储器阵列区域的上述第二侧布置， 其中上述p井分接单元包括一连续氧化定义区域，被配置以对上述第一存储器阵列区域中的一P-N接面以及上述第二存储器阵列区域中的一不同P-N接面提供逆向偏压。
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