敏业信息科技(上海)有限公司;安吉敏芯科技有限公司贺修勇获国家专利权
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龙图腾网获悉敏业信息科技(上海)有限公司;安吉敏芯科技有限公司申请的专利浪涌电压抑制控制电路和电器设备获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223744379U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202521941021.3，技术领域涉及：H02H9/04；该实用新型浪涌电压抑制控制电路和电器设备是由贺修勇;黄敏超设计研发完成，并于2025-09-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本浪涌电压抑制控制电路和电器设备在说明书摘要公布了：本实用新型提供一种浪涌电压抑制控制电路和电器设备，包括依次连接的供电电路、开关电路、多级浪涌抑制电路以及后级电路，多级浪涌抑制电路包括串联的第一级抑制电路至第N级抑制电路，N为大于等于2的正整数，每级抑制电路包括：MOS管、浪涌抑制触发电路以及采样电路；其中，对于第一级抑制电路，MOS管的源极连接采样电路的一输出端，浪涌抑制触发电路的第一端和MOS管的漏极与供电电路的正电压端连接在一起，第二端、第三端和第四端分别连接采样电路的另一输出端、MOS管的栅极和采样电路的输入端。该技术方案可以克服现有技术中MOS管的耗散功率过大，无法实现高压浪涌抑制的问题。
本实用新型浪涌电压抑制控制电路和电器设备在权利要求书中公布了：1.一种浪涌电压抑制控制电路，包括依次连接的供电电路、开关电路、多级浪涌抑制电路以及后级电路，其特征在于，所述多级浪涌抑制电路包括串联的第一级抑制电路至第N级抑制电路，N为大于等于2的正整数，每级所述抑制电路包括：MOS管、浪涌抑制触发电路以及采样电路；其中， 对于所述第一级抑制电路，所述MOS管的源极连接所述采样电路的一输出端，所述浪涌抑制触发电路的第一端和所述MOS管的漏极与所述供电电路的正电压端连接在一起，第二端、第三端和第四端分别连接所述采样电路的另一输出端、所述MOS管的栅极和所述采样电路的输入端。
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