广西华芯振邦半导体有限公司林育维获国家专利权
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龙图腾网获悉广西华芯振邦半导体有限公司申请的专利一种新型多层TSV互联结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223743670U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423261609.2，技术领域涉及：H01L23/538；该实用新型一种新型多层TSV互联结构是由林育维;李昊;闭忠权;蒙中吕;郭龙;刘俞利;张琦伟设计研发完成，并于2024-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种新型多层TSV互联结构在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种新型多层TSV互联结构，涉及半导体芯片封装技术领域，该新型多层TSV互联结构，包括中间层芯片，所述中间层芯片上方与下方分别设置有顶层芯片与底层芯片，且中间层芯片与底层芯片的顶端分别设置有与第二RDL重布线层，所述中间层芯片的内部通过电镀填充有TSV金属通孔，且中间层芯片与顶层芯片的底部靠近TSV金属通孔的位置Bump生长有连接凸球；本实用新型，将芯片中两处TSV通孔连接到同一个输出端的设计，可以有效提高电气性能、增强连接可靠性、简化封装工艺、适应不同封装需求以及优化热管理，同时，将芯片TSV通孔输出端面积扩大，可以有效散发热量，提高连接的稳定性和可靠性，减少因接触不良或机械应力导致的故障。
本实用新型一种新型多层TSV互联结构在权利要求书中公布了：1.一种新型多层TSV互联结构，其特征在于：包括中间层芯片，所述中间层芯片上方与下方分别设置有顶层芯片与底层芯片，且中间层芯片与底层芯片的顶端分别设置有与第二RDL重布线层，所述中间层芯片的内部通过电镀填充有TSV金属通孔，且中间层芯片与顶层芯片的底部靠近TSV金属通孔的位置Bump生长有连接凸球，所述底层芯片的内部设置有芯片内部RDL重布线结构，且芯片内部RDL重布线结构的底部设置有输出端，所述底层芯片的底端对应输出端的位置安装有锡球。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人广西华芯振邦半导体有限公司，其通讯地址为：530000 广西壮族自治区南宁市中国(广西)自由贸易试验区南宁片区公岸路6号产投五象振邦产业园3号至6号整栋；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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