苏州华镁忆芯半导体有限公司钱鑫获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州华镁忆芯半导体有限公司申请的专利一种防静电MOSFET器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223743660U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520069831.8，技术领域涉及：H01L23/49；该实用新型一种防静电MOSFET器件是由钱鑫设计研发完成，并于2025-01-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种防静电MOSFET器件在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种防静电MOSFET器件，属于MOSFET器件技术领域，一种防静电MOSFET器件，包括储纳盒，储纳盒的内壁之间安装有晶体芯片，晶体芯片的一端分别电性连接有源极引脚、栅极引脚、漏极引脚，源极引脚、栅极引脚、漏极引脚的外端套设有防护组件，晶体芯片的上端嵌设安装有电源端，电源端与栅极引脚之间串联连接有保护电阻，通过在MOSFET管的栅极引脚与源极引脚之间串联一个保护电阻，从而减小静电干扰，其使用成本较低，且耗能更少，通过在MOSFET管的栅极引脚与源极引脚之间串联一个保护电阻，从而减小静电干扰，其使用成本较低，且耗能更少，同时在在防护组件下，可对MOSFET管的三个引脚进行保护和支撑，避免出现折弯现象。
本实用新型一种防静电MOSFET器件在权利要求书中公布了：1.一种防静电MOSFET器件，包括储纳盒1，其特征在于：所述储纳盒1的内壁之间安装有晶体芯片2，所述晶体芯片2的一端分别电性连接有源极引脚3、栅极引脚4、漏极引脚5，所述源极引脚3、栅极引脚4、漏极引脚5的外端套设有防护组件6，所述储纳盒1的上端卡接有顶板7，所述储纳盒1的底部安装有底板8； 所述晶体芯片2的上端嵌设安装有电源端21，所述电源端21与栅极引脚4之间串联连接有保护电阻22。
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