西安聚变材料科技有限公司何郧获国家专利权
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龙图腾网获悉西安聚变材料科技有限公司申请的专利一种实现TR组件中GaN、GaAs和Si基芯片不同步均温的相变一体化散热模块获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223743658U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202422940629.6,技术领域涉及:H01L23/38;该实用新型一种实现TR组件中GaN、GaAs和Si基芯片不同步均温的相变一体化散热模块是由何郧设计研发完成,并于2024-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种实现TR组件中GaN、GaAs和Si基芯片不同步均温的相变一体化散热模块在说明书摘要公布了:一种实现TR组件中GaN、GaAs和Si基芯片不同步均温的相变一体化散热模块,该散热模块由相变端盖、高导热芯材、高导热卡箍、侧盖以及相变腔组成。该散热模块分为冷端和热端,相变腔贯穿散热组件的冷热端,相变腔中心设置有高导热芯材,腔内填充有高体积焓变的相变材料充当热沉,高导热芯材中部设置有高导热卡箍,可以使中心温度向两边摊开,其热量进行厚度方向的传导,上下面同步均温,高导热卡箍上设置有圆形通孔,用来固定高导热芯材的位置。TR组件整体搭接在散热模块上,设置有高导热卡箍的高导热芯材可以将TR组件中GaN、GaAs和Si基芯片温度整体拉开均匀,同时,Si基芯片正下方为相变材料,可以快速吸热降低Si基芯片的温度,降低芯片功耗,很好的保护了芯片寿命。
本实用新型一种实现TR组件中GaN、GaAs和Si基芯片不同步均温的相变一体化散热模块在权利要求书中公布了:1.一种实现TR组件中GaN、GaAs和Si基芯片不同步均温的相变一体化散热模块,该散热模块包括相变端盖、高导热芯材、侧盖和相变腔,其特征在于,所述的高导热芯材中部设置有高导热卡箍,高导热芯材设置在相变腔中心并贯穿冷热端,相变腔内填充有相变材料。
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