无锡龙夏微电子有限公司赖海波获国家专利权
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龙图腾网获悉无锡龙夏微电子有限公司申请的专利一种沟槽型MOSFET器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223743649U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520267251.X，技术领域涉及：H01L23/04；该实用新型一种沟槽型MOSFET器件是由赖海波;朱开兴;廖伟鹏设计研发完成，并于2025-02-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种沟槽型MOSFET器件在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种沟槽型MOSFET器件，包括器件盒，所述器件盒外壁设置有栅极且器件盒底部开设有两个散热槽，所述器件盒上端面设置有密封盖板且密封盖板上端面固定连接有推板，所述器件盒上端面位于密封盖板两侧均设置有拆卸组件，所述拆卸组件包含限位盒、导向架和定位块，所述限位盒数量设置有两个且限位盒均固定连接在器件盒上端，两个所述限位盒内部均开设有安装槽且安装槽内部均设置有两个导向滑板，所述器件盒内部设置有电子元件，两组所述导向滑板外壁均滑动连接有导向架，两个所述导向架上端均固定设置有拉杆且两个导向架尺寸大小相同，能够实现对MOSFET器件盒快速拆装对内部电子元件进行维修，具有实用性。
本实用新型一种沟槽型MOSFET器件在权利要求书中公布了：1.一种沟槽型MOSFET器件，其特征在于，包括器件盒1，所述器件盒1外壁设置有栅极2且器件盒1底部开设有两个散热槽3，所述器件盒1上端面设置有密封盖板6且密封盖板6上端面固定连接有推板5，所述器件盒1上端面位于密封盖板6两侧均设置有拆卸组件4，所述拆卸组件4包含限位盒41、导向架43和定位块42，所述限位盒41数量设置有两个且限位盒41均固定连接在器件盒1上端，两个所述限位盒41内部均开设有安装槽且安装槽内部均设置有两个导向滑板44，所述器件盒1内部设置有电子元件7。
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