拉普拉斯(无锡)半导体科技有限公司江亚杰获国家专利权
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龙图腾网获悉拉普拉斯(无锡)半导体科技有限公司申请的专利吸附机构和吸附装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223743631U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423195795.4，技术领域涉及：H01L21/683；该实用新型吸附机构和吸附装置是由江亚杰;张建宇;时祥;于帅帅设计研发完成，并于2024-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本吸附机构和吸附装置在说明书摘要公布了：本申请提供了一种吸附机构和吸附装置。吸附机构包括基板、吸附组件和吹气组件。基板包括吸附侧。定义吸附侧为基板朝向待吸附硅片的一侧。吸附组件设于基板。吸附组件具有吸附部。吸附部设于吸附侧。吸附部被配置为用于吸附硅片。吹气组件设于基板。吹气组件具有吹气部。吹气部设于吸附侧。吹气部被配置为用于向硅片吹气。吸附部和吹气部作用于位于基板同一侧的硅片。本申请提供的吸附机构和吸附装置，以便于吸附硅片。
本实用新型吸附机构和吸附装置在权利要求书中公布了：1.一种吸附机构，其特征在于，包括： 基板，包括吸附侧，定义所述吸附侧为所述基板朝向待吸附硅片的一侧； 吸附组件，设于所述基板，所述吸附组件具有吸附部，所述吸附部设于所述吸附侧，并被配置为用于吸附所述硅片；和 吹气组件，设于所述基板，所述吹气组件具有吹气部，所述吹气部设于所述吸附侧，并被配置为用于向所述硅片吹气，所述吸附部和所述吹气部作用于位于所述基板同一侧的所述硅片。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人拉普拉斯(无锡)半导体科技有限公司，其通讯地址为：214000 江苏省无锡市锡山区锡北东青河路3；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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