拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司孟亮获国家专利权
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龙图腾网获悉拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司申请的专利等离子体处理装置及薄膜沉积设备获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223743593U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423201439.9，技术领域涉及：H01J37/32；该实用新型等离子体处理装置及薄膜沉积设备是由孟亮;张赛谦;吕志鹏设计研发完成，并于2024-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本等离子体处理装置及薄膜沉积设备在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种等离子体处理装置及薄膜沉积设备，该等离子体处理装置包括：等离子体腔体和放射源组件，所述等离子体腔体的内部形成有放电腔体，所述等离子腔体具有隔离所述放电腔体和外界的腔壁，所述放射源组件设于所述腔壁上；其中，所述放射源组件配置为穿透所述腔壁向所述放电腔体内部进行辐射；和或，所述放射源组件配置为部分裸露于所述放电腔体以直接向所述放电腔体内部进行辐射。通过本实用新型，利用放射源组件对放电腔体内部进行辐射，放射源可以穿透该腔壁，进入放电腔体内部，激发放电腔体内部的气体，产生更多的自由电子，从而增强点火能力，在不提高点火电压的前提下，改善点火困难的问题。
本实用新型等离子体处理装置及薄膜沉积设备在权利要求书中公布了：1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：等离子体腔体和放射源组件，所述等离子体腔体的内部形成有放电腔体，所述等离子体腔体具有隔离所述放电腔体和外界的腔壁，所述放射源组件设于所述腔壁上； 其中，所述放射源组件配置为穿透所述腔壁向所述放电腔体内部进行辐射；和或，所述放射源组件配置为部分裸露于所述放电腔体以直接向所述放电腔体内部进行辐射。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司，其通讯地址为：110171 辽宁省沈阳市浑南区水家900号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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