北京燕东微电子股份有限公司陈计好获国家专利权
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龙图腾网获悉北京燕东微电子股份有限公司申请的专利抗总剂量辐照的高阶温度补偿带隙基准电压源获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223743006U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520474686.1，技术领域涉及：G05F1/56；该实用新型抗总剂量辐照的高阶温度补偿带隙基准电压源是由陈计好;刘刚;高铭新设计研发完成，并于2025-03-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本抗总剂量辐照的高阶温度补偿带隙基准电压源在说明书摘要公布了：本申请提供了一种抗总剂量辐照的高阶温度补偿带隙基准电压源，属于集成电路的技术领域。该抗总剂量辐照的高阶温度补偿带隙基准电压源包括偏置模块、高阶补偿模块和带隙核心模块；其中，带隙核心模块被配置为基于运算放大器、电阻和二极管产生带隙基准电流；偏置模块被配置为对带隙核心模块提供偏置电压，并向高阶补偿模块提供电流；所述高阶补偿模块被配置为接收偏置模块产生的电流并通过工作在强反型区的金属氧化物半导体场效应晶体管和双极性结型晶体管产生补偿电流，以对所述带隙基准电流中的高阶非线性项进行补偿。
本实用新型抗总剂量辐照的高阶温度补偿带隙基准电压源在权利要求书中公布了：1.一种抗总剂量辐照的高阶温度补偿带隙基准电压源，其特征在于，包括偏置模块、高阶补偿模块和带隙核心模块； 其中，带隙核心模块被配置为基于运算放大器、电阻和二极管产生带隙基准电流； 偏置模块被配置为对带隙核心模块提供偏置电压，并向高阶补偿模块提供电流； 所述高阶补偿模块被配置为接收偏置模块产生的电流并通过工作在强反型区的金属氧化物半导体场效应晶体管和双极性结型晶体管产生补偿电流，以对所述带隙基准电流中的高阶非线性项进行补偿。
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