江苏首芯半导体科技有限公司李继刚获国家专利权
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龙图腾网获悉江苏首芯半导体科技有限公司申请的专利半导体沉积腔室及半导体沉积设备获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223738133U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520203334.2，技术领域涉及：C23C16/455；该实用新型半导体沉积腔室及半导体沉积设备是由李继刚;周纬;朱顺利;张俊;张国伟;王彬设计研发完成，并于2025-02-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体沉积腔室及半导体沉积设备在说明书摘要公布了：本实用新型实施例涉及半导体沉积领域，提供一种半导体沉积腔室及半导体沉积设备，半导体沉积腔室包括：抽气环部件，抽气环部件位于空腔内，抽气环部件包括：径向分布的第一抽气环以及第二抽气环，第二抽气环位于壳体与第一抽气环之间；其中，第一抽气环具有第一孔洞，第二抽气环具有第二孔洞，第一孔洞的第一孔径小于第二孔洞的第二孔径；第一移动部件，第一移动部件与第一抽气环连接，第一移动部件用于使第一抽气环沿竖直方向上下移动；第二移动部件，第二移动部件与第二抽气环连接，第二移动部件用于使第二抽气环沿竖直方向上下移动。本实用新型实施例提供的半导体沉积腔室及半导体沉积设备至少可以提高半导体沉积设备的实用性。
本实用新型半导体沉积腔室及半导体沉积设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体沉积腔室，其特征在于，包括： 壳体，所述壳体内部形成空腔； 进气部件，所述进气部件位于所述空腔内； 抽气环部件，所述抽气环部件位于所述空腔内，所述抽气环部件包括：径向分布的第一抽气环以及第二抽气环，所述第二抽气环位于所述壳体与所述第一抽气环之间；其中，所述第一抽气环具有第一孔洞，所述第二抽气环具有第二孔洞，所述第一孔洞的第一孔径小于所述第二孔洞的第二孔径； 第一移动部件，所述第一移动部件与所述第一抽气环连接，所述第一移动部件用于使所述第一抽气环沿竖直方向上下移动； 第二移动部件，所述第二移动部件与所述第二抽气环连接，所述第二移动部件用于使所述第二抽气环沿所述竖直方向上下移动。
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