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龙图腾网获悉中国科学院长春光学精密机械与物理研究所申请的专利光学元件抛光磨料的选择方法、装置、设备及介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120985474B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511496956.X，技术领域涉及：B24B13/00；该发明授权光学元件抛光磨料的选择方法、装置、设备及介质是由白杨;杨枝繁;胡海翔;乔冠博;张学军设计研发完成，并于2025-10-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本光学元件抛光磨料的选择方法、装置、设备及介质在说明书摘要公布了：本发明公开了一种光学元件抛光磨料的选择方法、装置、设备及介质，涉及光学元件加工领域，包括：基于光学元件基底材料的特性，对候选抛光磨料库进行初步筛选；构建抛光磨料与光学元件基底之间的原子级界面模型；利用该模型模拟抛光磨料原子簇与光学元件基底原子簇在抛光场景中的接触状态与界面反应行为，获取抛光磨料原子簇与光学元件基底原子簇的成键特征及结合能量变化数据，以对抛光磨料原子簇与光学元件基底原子簇的界面反应活性进行量化排序，生成抛光磨料优先级清单。这样能显著提升抛光磨料的筛选效率，缩短材料开发周期，降低实验成本，深入分析抛光磨料与光学元件之间的界面相互作用机制，为新型抛光磨料的发现和优化提供理论依据。

本发明授权光学元件抛光磨料的选择方法、装置、设备及介质在权利要求书中公布了：1.一种光学元件抛光磨料的选择方法，其特征在于，包括： 基于光学元件基底材料的特性，对候选抛光磨料库进行初步筛选； 根据初步筛选出的抛光磨料的化学组成，生成代表性原子簇，基于所述代表性原子簇构建抛光磨料原子簇模型；模拟光学元件基底表面的微观结构，构建光学元件基底表面原子簇模型；基于构建好的所述抛光磨料原子簇模型和所述光学元件基底表面原子簇模型，形成抛光磨料与光学元件基底之间的原子级界面模型； 在所述原子级界面模型中，通过密度泛函理论处理抛光磨料原子簇与光学元件基底原子簇界面处的电子密度分布、原子间作用力及能量变化，模拟抛光磨料原子簇与光学元件基底原子簇在抛光场景中的接触构型，还原界面原子的空间排列与相互作用状态； 通过密度泛函理论追踪反应过程中电子的转移路径、成键的变化，模拟抛光磨料原子簇与光学元件基底原子簇在抛光场景中的界面反应行为； 采用量子化学方法获取抛光磨料原子簇与光学元件基底原子簇的成键特征及结合能量变化数据； 根据获取的成键特征及结合能量变化数据，计算反应的结合能； 基于反应的结合能的正负与大小，确定抛光磨料原子簇与光学元件基底原子簇的界面反应活性； 对确定的界面反应活性进行量化排序，并以量化排序结果为依据，对初步筛选出的抛光磨料进行优先级排序，生成抛光磨料优先级清单； 采集抛光实验结果；所述抛光实验结果包括材料去除率和表面粗糙度值； 将所述抛光实验结果与模拟结果进行比对； 若所述抛光实验结果与所述模拟结果之间的偏差超过预设阈值，则调整所述原子级界面模型的参数或修正实验条件，直至所述抛光实验结果与所述模拟结果的一致性满足设定要求，输出经过验证后的最优抛光磨料方案。

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