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龙图腾网获悉微玖(苏州)光电科技有限公司申请的专利一种低串扰的Micro LED矩阵大灯的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120957538B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511454468.2，技术领域涉及：H10H29/01；该发明授权一种低串扰的Micro LED矩阵大灯的制备方法是由孙凯;朱平;顾银冬;张宇;黄振;王程功设计研发完成，并于2025-10-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低串扰的Micro LED矩阵大灯的制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种低串扰的MicroLED矩阵大灯的制备方法，包括S1，蓝光MicroLED芯片预处理；S2，光刻工艺处理；S3，涂覆硅胶荧光粉混合物；S4，真空静置与高温固化；S5，高精度研磨减薄；S6，光刻胶去除；可选S7，增设挡光结构制备步骤；通过光刻定义荧光粉区域、真空沉降控厚、分步研磨及挡光结构优化，解决现有工艺串扰高、荧光粉层均匀性差、良率低的问题，实现像素间串扰率≤5%、荧光粉层厚度偏差≤2.5μm、芯片制备良率≥90%；还可通过钝化层、电极及硅胶耐候性优化，适配船舶耐盐雾等特殊场景，使用寿命≥5年；工艺与现有产线兼容，适用于汽车、船舶等多场景MicroLED矩阵大灯制备。

本发明授权一种低串扰的Micro LED矩阵大灯的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种低串扰的MicroLED矩阵大灯的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： S1，蓝光MicroLED芯片预处理：采用成熟工艺制备蓝光MicroLED芯片，具体包括将衬底与CMOS驱动芯片进行共晶键合，对键合后的复合结构进行减薄处理，通过刻蚀工艺形成独立的LED像素点，再经镀膜处理完成电极及钝化层制备；所述LED像素点通过CMOS驱动芯片实现单独点亮及分区显示控制； S2，光刻工艺处理：对步骤S1制备的蓝光MicroLED芯片进行光刻显影，使芯片的发光区裸露，非发光区被光刻胶覆盖；所述光刻胶的厚度由后续所需荧光粉层的目标厚度适配确定，且满足光刻显影分辨率≥1μm； S3，涂覆硅胶荧光粉混合物：将硅胶与荧光粉混合并经真空脱泡，得到均匀的硅胶荧光粉混合物；采用旋涂、喷涂或刮涂方式，将该混合物覆盖于步骤S2完成光刻的蓝光MicroLED芯片表面； S4，真空静置与高温固化：将步骤S3涂覆后的芯片置于-0.07MPa至-0.13MPa的真空环境中静置8h至14h，直至荧光粉因密度差沉降形成的堆积层厚度大于步骤S2中光刻胶的厚度；静置完成后，对芯片进行高温固化处理，使硅胶完全定型，且固化后硅胶的交联度≥90%； S5，高精度研磨减薄：采用砂轮对步骤S4固化后的芯片进行研磨减薄，控制研磨过程中的总厚度偏差≤2.5μm、表面粗糙度≤0.25μm；研磨终点为露出步骤S2中的光刻胶，或在光刻胶厚度满足需求时，部分去除光刻胶以达到荧光粉层的设定厚度； S6，光刻胶去除：采用对硅胶及荧光粉无腐蚀、无剥离作用的去胶液，去除芯片电极区域及非发光区域残留的光刻胶，得到白光MicroLED芯片雏形。

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