微玖(苏州)光电科技有限公司于佳琪获国家专利权
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龙图腾网获悉微玖(苏州)光电科技有限公司申请的专利一种抗热衰红光Micro LED外延结构及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120957533B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511450447.3，技术领域涉及：H10H20/812；该发明授权一种抗热衰红光Micro LED外延结构及制备方法是由于佳琪;钟冠伦;黄振设计研发完成，并于2025-10-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种抗热衰红光Micro LED外延结构及制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种抗热衰红光MicroLED外延结构及其制备方法，所述外延结构从下至上依次包括衬底层、n型缓冲层、n型刻蚀阻挡层、n型欧姆接触层、n型限制层、量子阱结构、p型间隔层、p型电子阻挡层及p型欧姆接触层；其中量子阱结构由1–5对InGaP阱层和三段式p型AlGaInP势垒层交替构成，三段势垒层采用梯度能级设计且均进行p型掺杂；本发明通过梯度能级势垒阻挡电子溢出、p型掺杂补充空穴浓度，解决了现有技术高温下载流子损失与复合效率低的问题，使85℃外量子效率衰减率≤10%，寿命延长至5万小时以上，且工艺兼容量产，适用于显示、照明等领域。
本发明授权一种抗热衰红光Micro LED外延结构及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种抗热衰红光MicroLED外延结构，其特征在于，从下至上依次包括衬底层、n型缓冲层、n型刻蚀阻挡层、n型欧姆接触层、n型限制层、量子阱结构、p型间隔层、p型电子阻挡层及p型欧姆接触层；所述量子阱结构由1-5对InGaP阱层和三段式p型AlGaInP势垒层交替构成；所述三段式p型AlGaInP势垒层从下至上依次为第一段势垒层、第二段势垒层、第三段势垒层，且三段式p型AlGaInP势垒层的Al组分满足第一段势垒层Al组分＞第三段势垒层Al组分＞第二段势垒层Al组分，形成梯度能级结构；所述三段式p型AlGaInP势垒层均采用p型掺杂，掺杂浓度为。
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