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龙图腾网获悉浙江力积存储科技股份有限公司申请的专利DRAM温度监测自刷新电路和DRAM获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120954461B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511485094.0，技术领域涉及：G11C11/406；该发明授权DRAM温度监测自刷新电路和DRAM是由刘睿设计研发完成，并于2025-10-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本DRAM温度监测自刷新电路和DRAM在说明书摘要公布了：本公开实施例提供的DRAM温度监测自刷新电路和DRAM，包括：自刷新使能模块在接收到自刷新使能信号时，输出时钟信号至基准电压生成模块和逻辑模块；基准电压生成模块根据接收的时钟信号，确定第一时钟采样信号，并根据第一时钟采样信号生成基准电压至比较模块；比较模块根据基准电压和二极管电压，输出比较信号至逻辑模块；逻辑模块在比较信号为高电平时，根据时钟信号和比较信号，在第一时刻生成采样信号采集基准电压生成模块的第一时钟采样信号，以根据第一时钟采样信号生成温度识别信号，并根据温度识别信号和时钟信号确定芯片刷新时钟，以及在第二时刻生成复位信号至基准电压生成模块，以对基准电压生成模块的第一时钟采样信号进行复位。

本发明授权DRAM温度监测自刷新电路和DRAM在权利要求书中公布了：1.一种DRAM温度监测自刷新电路，其特征在于，包括：自刷新使能模块、基准电压生成模块、比较模块和逻辑模块； 其中，所述自刷新使能模块，被配置为在接收到自刷新使能信号时，输出时钟信号至所述基准电压生成模块和所述逻辑模块； 所述基准电压生成模块，被配置为根据接收的时钟信号，确定第一时钟采样信号，并根据所述第一时钟采样信号生成基准电压至所述比较模块； 所述比较模块，被配置为根据所述基准电压和二极管电压，输出比较信号至所述逻辑模块； 所述逻辑模块，被配置为在所述比较信号为高电平时，根据所述时钟信号和所述比较信号，在第一时刻生成采样信号采集所述基准电压生成模块的第一时钟采样信号，以根据所述第一时钟采样信号生成温度识别信号，并根据温度识别信号和时钟信号确定芯片刷新时钟，以及在第二时刻生成复位信号至所述基准电压生成模块，以对所述基准电压生成模块的第一时钟采样信号进行复位； 其中，所述第一时刻位于所述第二时刻之前。

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