合肥晶合集成电路股份有限公司门莹莹获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利掩膜版组及其制造方法、掩膜版成像偏差校正方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120949503B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511475915.2，技术领域涉及：G03F1/44；该发明授权掩膜版组及其制造方法、掩膜版成像偏差校正方法及系统是由门莹莹;黄玉设计研发完成，并于2025-10-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本掩膜版组及其制造方法、掩膜版成像偏差校正方法及系统在说明书摘要公布了：本申请实施例提供了一种掩膜版组及其制造方法、掩膜版成像偏差校正方法及系统，该掩膜版组包括：多个掩膜版；在对多个掩膜版进行光学成像的过程中，多个掩膜版上的掩膜图案的理论最佳聚焦值相同；其中，多个掩膜版上的掩膜图案包括相同的监控图案；监控图案用于对掩膜版上的掩膜图案进行光学成像偏差校正，使得在对多个掩膜版进行光学成像的过程中，多个掩膜版上的掩膜图案的实际最佳聚焦值相对于理论最佳聚焦值的偏移量落入掩膜版组对应工艺制程节点的7.0%至7.5%的指定数值范围内。通过本申请实施例，减少了多个掩膜版上的掩膜图案的实际最佳聚焦值相对于理论最佳聚焦值的偏移，提升了同一掩膜版组中多个掩膜版光学成像的一致性。
本发明授权掩膜版组及其制造方法、掩膜版成像偏差校正方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种掩膜版组，其特征在于，包括： 多个掩膜版；在对所述多个掩膜版进行光学成像的过程中，所述多个掩膜版上的掩膜图案的理论最佳聚焦值相同； 其中，所述多个掩膜版上的掩膜图案包括相同的监控图案；所述监控图案用于对所述掩膜版上的掩膜图案进行光学成像偏差校正，使得在对所述多个掩膜版进行光学成像的过程中，所述多个掩膜版上的掩膜图案的实际最佳聚焦值相对于所述理论最佳聚焦值的偏移量落入指定数值范围内；其中，所述指定数值范围为所述掩膜版组对应工艺制程节点的7.0%至7.5%。
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