浙江芯微泰克半导体有限公司义岚获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江芯微泰克半导体有限公司申请的专利半导体器件的制造方法及制造系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120914093B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511444971.X，技术领域涉及：H01L21/268；该发明授权半导体器件的制造方法及制造系统是由义岚;王冲;胡志杰;刘童;张德华;梁晋学;陈轮兴设计研发完成，并于2025-10-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件的制造方法及制造系统在说明书摘要公布了：本申请实施例提供一种半导体器件的制造方法及制造系统。制造系统包括激光发射装置、光采集装置以及控制器。激光发射装置用于采用目标激光束在衬底上的金属层上形成扫描光斑，以刻蚀金属层。光采集装置用于按照预设采集频率，采集扫描光斑处的金属层被等离子化后退激而产生的实时发射光，并基于实时发射光产生扫描光斑处所刻蚀金属的实时等离子光谱数据。控制器与激光发射装置以及光采集装置耦接，用于从光采集装置获取实时等离子光谱数据，并基于实时等离子光谱数据，控制激光发射装置是否停止采用目标激光束对扫描光斑处的金属层进行刻蚀。
本发明授权半导体器件的制造方法及制造系统在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制造系统，其特征在于，包括： 激光发射装置，用于采用目标激光束在衬底上的金属层上形成扫描光斑，以刻蚀所述金属层； 光采集装置，用于按照预设采集频率，采集所述扫描光斑处的金属层被等离子化后退激而产生的实时发射光，并基于所述实时发射光产生所述扫描光斑处所刻蚀金属的实时等离子光谱数据； 控制器，与所述激光发射装置以及所述光采集装置耦接，用于从所述光采集装置获取所述实时等离子光谱数据，并基于所述实时等离子光谱数据，控制所述激光发射装置是否停止采用所述目标激光束对所述扫描光斑处的金属层进行刻蚀。
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