杭州开幕光子技术有限公司;浙江老鹰半导体技术有限公司莫庆伟获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州开幕光子技术有限公司;浙江老鹰半导体技术有限公司申请的专利一种表面光栅及其制备方法、具有该表面光栅的表面发射激光器获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120908921B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202511438658.5,技术领域涉及:G02B5/18;该发明授权一种表面光栅及其制备方法、具有该表面光栅的表面发射激光器是由莫庆伟;张杨设计研发完成,并于2025-10-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种表面光栅及其制备方法、具有该表面光栅的表面发射激光器在说明书摘要公布了:本申请公开了一种表面光栅及其制备方法、具有该表面光栅的表面发射激光器,表面光栅制备方法包括在发光外延层上生长功能半导体层后,先通过固定精度光刻设备刻蚀大间距的第一刻线矩阵,再利用掩模版移动或激光角度调整技术,在相邻第一刻线间二次刻蚀小间距的第二刻线矩阵,形成双层嵌套光栅。本申请通过工艺创新突破了光刻设备精度对光栅间距的限制,无需更换高成本高精度设备即可实现亚波长级光栅制备。
本发明授权一种表面光栅及其制备方法、具有该表面光栅的表面发射激光器在权利要求书中公布了:1.一种表面发射激光器表面光栅制备方法,其特征在于,包括: 提供一外延层; 在所述外延层表面外延生长一功能半导体层; 在所述功能半导体层表面刻蚀出相邻刻线间距为第一预设值的第一刻线矩阵; 在所述第一刻线矩阵中的非刻蚀区域刻蚀出相邻刻线间距为第二预设值的第二刻线矩阵,使得每条第二刻线位于相邻两条第一刻线之间; 所述在所述功能半导体层表面刻蚀出相邻刻线间距为第一预设值的第一刻线矩阵,包括: 在所述功能半导体层表面上制备第一光阻层,提供具有间隔为第一预设值的第一光栅图案掩模版,采用激光透过所述第一光栅图案掩模版照射所述第一光阻层,经显影液冲洗所述第一光阻层后得到第一光阻刻线阵列,以暴露出所述功能半导体层; 采用干刻蚀方式沿所述第一光阻刻线阵列对所述功能半导体层进行刻蚀,得到相邻刻线间距为所述第一预设值的第一刻线矩阵; 所述在所述第一刻线矩阵中的非刻蚀区域刻蚀出相邻刻线间距为第二预设值的第二刻线矩阵,使得每条第二刻线位于相邻两条第一刻线之间,包括: 调整激光的出射角度,使得激光光束透过所述第一光栅图案掩模版倾斜照射至所述第一光阻层的相邻两条所述第一光阻刻线之间; 经显影液冲洗所述第一光阻层后形成第二光阻刻线阵列,以暴露出所述功能半导体层; 采用干刻蚀方式沿所述第二光阻刻线阵列对所述功能半导体层进行刻蚀,得到相邻刻线间距为所述第二预设值的第二刻线矩阵。
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