苏州宽温电子科技有限公司王恩俊获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州宽温电子科技有限公司申请的专利磁芯随机存储器读参考电路设计方法及系统获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120895068B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202511418582.X,技术领域涉及:G11C11/16;该发明授权磁芯随机存储器读参考电路设计方法及系统是由王恩俊;佘一奇设计研发完成,并于2025-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本磁芯随机存储器读参考电路设计方法及系统在说明书摘要公布了:本发明提供磁芯随机存储器读参考电路设计方法及系统,涉及电路设计技术领域,包括通过获取磁芯存储器参数规格并模拟生成比特线电流分布曲线,提取最大、最小电流值并划分电流调节区间,选择最高读取成功率区间的中值作为最优参考电流;进一步检测不同温度点的实际输出电流,建立温度补偿模型并设计补偿电路,最终转换为版图设计文件。本发明能精确确定最优参考电流并实现温度补偿,有效提高磁芯存储器的读取可靠性和稳定性。
本发明授权磁芯随机存储器读参考电路设计方法及系统在权利要求书中公布了:1.磁芯随机存储器读参考电路设计方法,其特征在于,包括: 获取目标磁芯随机存储器的参数规格,根据所述参数规格通过随机存取存储器性能模拟器生成比特线电流分布曲线,包括: 参数规格包括工作电压范围和工艺制程参数,根据所述工作电压范围建立电流采样窗口,通过迭代优化算法对所述电流采样窗口的采样区间进行自适应调整,直至所述采样区间覆盖目标磁芯随机存储器的最大和最小工作电流; 采用随机存取存储器性能模拟器,根据所述采样区间和采样点数量对所述目标磁芯随机存储器的存储单元阵列进行蒙特卡洛电流采样,生成比特线电流分布曲线; 提取所述比特线电流分布曲线的最大电流值和最小电流值,将所述最大电流值与所述最小电流值的差值划分为多个电流调节区间,在每个所述电流调节区间内计算存储单元读取成功率,选择具有最高存储单元读取成功率的电流调节区间的中值作为最优参考电流值; 检测参考电路在不同温度点的实际输出电流,计算所述实际输出电流与所述最优参考电流值之间的偏差,根据所述偏差建立温度补偿模型;基于所述温度补偿模型设计补偿电路,将所述补偿电路转换为版图设计文件,完成所述目标磁芯随机存储器读参考电路的设计。
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