长鑫芯瑞存储技术(北京)有限公司刘志拯获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫芯瑞存储技术(北京)有限公司申请的专利一种半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120881990B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511386596.8，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权一种半导体结构及其制备方法是由刘志拯;李宗翰设计研发完成，并于2025-09-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开涉及半导体技术领域，提供了一种半导体结构及其制备方法，用于改善栅诱导漏极泄露GIDL以及行锤效应的问题。该半导体结构包括：衬底；字线结构，位于衬底上且沿第一方向延伸，字线结构包括沿第二方向自下至上排布的第一字线层、第二字线层以及位于第一字线层和第二字线层之间的间隔层，其中，第一方向平行于衬底的表面，第二方向平行于衬底的厚度方向，第二字线层与第一字线层的功函数不同。如此，使得第一字线层和第二字线层共同配合，相互协同，有利于提高半导体结构的电性能稳定性和可靠性。
本发明授权一种半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括： 衬底； 字线结构，位于所述衬底上且沿第一方向延伸，所述字线结构包括沿第二方向自下至上排布的第一字线层、第二字线层以及位于所述第一字线层和所述第二字线层之间的间隔层；沿所述第一方向，所述第一字线层包括第一端，所述第二字线层包括第二端，所述第一端和所述第二端位于所述衬底的同一侧，且沿所述第一方向，所述第一字线层的所述第一端的侧壁相对于所述第二字线层的所述第二端的侧壁向外突出； 引出部，所述引出部沿所述第二方向延伸且位于所述第一字线层的所述第一端所在的一侧，所述引出部与所述第一字线层连接； 第一接触插塞，所述第一接触插塞与所述引出部连接； 第二接触插塞，所述第二接触插塞与所述第二字线层连接； 其中，所述第一方向平行于所述衬底的表面，所述第二方向平行于所述衬底的厚度方向，所述第二字线层与所述第一字线层的功函数不同。
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