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龙图腾网获悉中科(深圳)无线半导体有限公司申请的专利一种氧化镓半导体器件测试数据分析系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120870803B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511366721.9，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权一种氧化镓半导体器件测试数据分析系统是由吴义针;汪连山;麻胜恒设计研发完成，并于2025-09-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种氧化镓半导体器件测试数据分析系统在说明书摘要公布了：本发明公开了一种氧化镓半导体器件测试数据分析系统，涉及半导体领域，解决了现有半导体器件测试数据分析系统存在分析效果不佳的问题，包括：电学指标模块：对处于电学指标测试周期的样本半导体器件进行多种电学指标测试，根据测试结果获取周期电学指标排序队列，光电指标模块：对处于光电指标测试周期的样本半导体器件进行多种光电指标测试，根据测试结果获取周期光电指标排序队列，测试分析模块：根据周期电学指标排序队列以及周期光电指标排序队列对样本半导体器件进行测试数据分析，并对分析结果进行反馈，本发明能够提高测试数据分析结果的准确性和全面性。

本发明授权一种氧化镓半导体器件测试数据分析系统在权利要求书中公布了：1.一种氧化镓半导体器件测试数据分析系统，其特征在于，包括： 电学指标模块：对处于电学指标测试周期的样本半导体器件进行多种电学指标测试，根据测试结果获取每一项电学指标所对应的电学指标偏差度，并对所得的多个电学指标偏差度进行排序，得到周期电学指标排序队列；对样本电学指标偏差度进行获取中，当样本电学指标为饱和电流时，则对样本半导体器件进行饱和电流监测，根据监测结果获取样本电学指标偏差度；具体步骤如下： 在对样本半导体器件进行饱和电流监测的过程中，将样本半导体器件所处的电力线路通电的时间数值标记为第一周期特征时间数值，将当前时刻所处的时间数值标记为第二周期特征时间数值，将第一周期特征时间数值与第二周期特征时间数值之间的数值标记为D1测试周期； 在D1测试周期，针对样本半导体所处的环境空间设置若干个环境温度，并在所设置的若干个环境温度中选取一个样本环境温度，并将环境空间处于样本环境温度的子时段标记为样本子时段； 对处于样本子时段的样本半导体进行饱和电流监测，根据监测结果获取样本子时段所对应的饱和电流偏差度； 分别获取每一个环境温度所对应子时段的饱和电流偏差度，并对所得的多个饱和电流偏差度进行数值大小比对，将数值最大的饱和电流偏差度标记为样本电学指标偏差度； 光电指标模块：对处于光电指标测试周期的样本半导体器件进行多种光电指标测试，根据测试结果获取每一种光电指标所对应的光电指标偏差度，并对所得的多个光电指标偏差度进行排序，得到周期光电指标排序队列； 测试分析模块：根据周期电学指标排序队列以及周期光电指标排序队列对样本半导体器件进行测试数据分析，并对分析结果进行反馈。

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