中科(深圳)无线半导体有限公司吴义针获国家专利权
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龙图腾网获悉中科(深圳)无线半导体有限公司申请的专利一种PHEMT的缺陷检测方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120852411B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511349728.X，技术领域涉及：G06T7/00；该发明授权一种PHEMT的缺陷检测方法及系统是由吴义针;汪连山;麻胜恒设计研发完成，并于2025-09-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种PHEMT的缺陷检测方法及系统在说明书摘要公布了：本发明公开了一种PHEMT的缺陷检测方法及系统，涉及电子器件检测技术领域，方法包括：获取PHEMT的表面图像；对所述表面图像进行预处理，确定目标图像；计算所述目标图像的梯度响应图像；对所述梯度响应图像进行迭代阈值分割，确定最终掩膜梯度图像；根据所述目标图像，通过高斯差分和固定阈值分割，确定高斯分割图像；合并所述高斯分割图像和所述最终掩膜梯度图像，确定缺陷区域；提取所述缺陷区域的缺陷特征；根据所述缺陷特征，通过深度残差卷积网络，进行缺陷分类，输出所述PHEMT的缺陷类别。本发明能够更加精确地确定缺陷区域，避免了缺陷区域不完的问题，提高了缺陷区域识别的准确性，确保了缺陷区域的完整性和精确度。
本发明授权一种PHEMT的缺陷检测方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种PHEMT的缺陷检测方法，其特征在于，包括以下步骤： S1：获取PHEMT的表面图像； S2：对所述表面图像进行预处理，确定目标图像； S3：计算所述目标图像的梯度响应图像； S4：对所述梯度响应图像进行迭代阈值分割，确定最终掩膜梯度图像； S5：根据所述目标图像，通过高斯差分和固定阈值分割，确定高斯分割图像； S6：合并所述高斯分割图像和所述最终掩膜梯度图像，确定缺陷区域； S7：提取所述缺陷区域的缺陷特征； S8：根据所述缺陷特征，通过深度残差卷积网络，进行缺陷分类，输出所述PHEMT的缺陷类别。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中科(深圳)无线半导体有限公司，其通讯地址为：518000 广东省深圳市南山区南头街道马家龙社区南山大道3838号工业村金栋309；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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