国科大杭州高等研究院蒋硕获国家专利权
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龙图腾网获悉国科大杭州高等研究院申请的专利基于锆钛酸铅薄膜的片上非厄米奇异面传感结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120800444B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511241816.8，技术领域涉及：G01D5/26；该发明授权基于锆钛酸铅薄膜的片上非厄米奇异面传感结构及其制备方法是由蒋硕;胡同华设计研发完成，并于2025-09-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于锆钛酸铅薄膜的片上非厄米奇异面传感结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种基于锆钛酸铅薄膜的片上非厄米奇异面传感结构及其制备方法，属于集成光学传感技术领域，其传感结构包括通过刻蚀锆钛酸铅薄膜晶圆形成由脊型波导组成的微环谐振腔，位于微环谐振腔上部的耦合波导，及耦合波导右端端部的布拉格光栅；所述耦合波导右端上下两侧分别沉积设置经电学极化处理的上侧金属电极和下侧金属电极；所述耦合波导右端与上侧金属电极、下侧金属电极及布拉格光栅构成非厄米光学传感反射回路，且耦合波导与微环谐振腔通过倏逝波耦合方式将光耦合进微环谐振腔中。本发明提供的一种基于锆钛酸铅薄膜的片上非厄米奇异面传感结构，高集成度且具备稳定的非厄米奇异面调控能力。
本发明授权基于锆钛酸铅薄膜的片上非厄米奇异面传感结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于锆钛酸铅薄膜的片上非厄米奇异面传感结构，其特征在于，包括 通过刻蚀锆钛酸铅薄膜晶圆形成由脊型波导组成的微环谐振腔，位于微环谐振腔上部的耦合波导，及耦合波导右端端部的布拉格光栅； 所述耦合波导右端上下两侧分别沉积设置经电学极化处理的上侧金属电极和下侧金属电极； 所述耦合波导右端与上侧金属电极、下侧金属电极及布拉格光栅构成非厄米光学传感反射回路，且耦合波导与微环谐振腔通过倏逝波耦合方式将光耦合进微环谐振腔中； 所述上侧金属电极的高度为10-7~10-4m、宽度为10-8~10-4m、长度为10-7~5×10-2m； 所述下侧金属电极的高度为10-7~10-4m、宽度为10-8~10-4m、长度为10-7~5×10-2m，所述下侧金属电极与耦合波导之间的距离为10-8~10-4m； 所述上侧金属电极和下侧金属电极外加100V~300V的电压信号可实现片上非厄米光学传感器件反射回路中光学相位0~2π范围内的自由调控。
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