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龙图腾网获悉广东风华芯电科技股份有限公司申请的专利一种功率半导体的封装结构及封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120767266B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511269559.9，技术领域涉及：H01L23/373；该发明授权一种功率半导体的封装结构及封装方法是由黄昌;唐庆圆;刘鸿青;罗波设计研发完成，并于2025-09-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种功率半导体的封装结构及封装方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种功率半导体的封装结构及封装方法，其包括基板、驱动芯片、第一功率芯片、第二功率芯片、低导热塑封层和高导热塑封层；基板上设置有若干焊点及走线，基板上的走线将若干焊点电连接并形成驱动电路；驱动芯片、第一功率芯片和第二功率芯片分别安装在基板上不同的若干焊点上并与基板的走线电连接；驱动芯片被低导热塑封层完全包覆；低导热塑封层、第一功率芯片、第二功率芯片被高导热塑封层完全包覆。通过低导热塑封层对驱动芯片进行封装及高导热塑封层对功率芯片和驱动芯片外的低导热塑封层进行封装，降低功率芯片的热量传递至驱动芯片的效率，同时低导热塑封层和驱动芯片之间的热膨胀系数的差值更小，防止驱动芯片的衬底发生破裂。

本发明授权一种功率半导体的封装结构及封装方法在权利要求书中公布了：1.一种功率半导体的封装结构，其特征在于：包括基板、驱动芯片、第一功率芯片、第二功率芯片、低导热塑封层和高导热塑封层；所述基板上设置有若干焊点及走线，所述基板上的走线将若干焊点电连接并形成驱动电路；所述驱动芯片、第一功率芯片和第二功率芯片分别安装在所述基板上不同的若干焊点上并与所述基板的走线电连接；所述驱动芯片被所述低导热塑封层完全包覆；所述低导热塑封层、第一功率芯片、第二功率芯片被所述高导热塑封层完全包覆； 所述低导热塑封层与所述驱动芯片的衬底的热膨胀系数的差值小于6×10-6℃，所述低导热塑封层的导热系数小于1WmK，热膨胀系数不大于8×10-6℃； 所述高导热塑封层的导热系数为4-5WmK，热膨胀系数不大于12×10-6℃； 所述驱动芯片与第一功率芯片或第二功率芯片之间的距离在200μm-2000μm之间； 还包括缓冲层，所述缓冲层设置在所述第一功率芯片和第二功率芯片远离基板的顶部，所述缓冲层的导热系数大于1Wm·K，弹性模量低于1GPa，其热膨胀系数与所述第一功率芯片和第二功率芯片的热膨胀系数的差值小于8×10-6℃。

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