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龙图腾网获悉中科(深圳)无线半导体有限公司申请的专利一种金字塔Micro LED的像素点GaN矩阵结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120751863B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511178501.3，技术领域涉及：H10H29/32；该发明授权一种金字塔Micro LED的像素点GaN矩阵结构及其制备方法是由吴义针;麻胜恒;汪连山;陈福鑫;赵柏聿设计研发完成，并于2025-08-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种金字塔Micro LED的像素点GaN矩阵结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种金字塔MicroLED的像素点GaN矩阵结构及其制备方法，包括半导体层；集成在半导体层正面的GaN像素点矩阵，包括六个HEMT器件通过串并联方式配置形成GaN像素点电路；以及集成在半导体层背面的MicroLED；所述GaN像素点电路通过至少一个延伸穿过半导体层的通孔与MicroLED电连接，并且所述GaN像素点矩阵配置为根据外部信号精准地为所述MicroLED提供电压和电流。本发明通过将MicroLED和GaN像素点矩阵融合在一个晶圆的正反面，有效的降低了产品成本，提高了产品的集成度，本发明的制备方法采用无金工艺制作HEMT器件，仅需在低温下退火，有效避免了高温退火对MicroLED造成的损伤，提高了器件的性能和良品率。

本发明授权一种金字塔Micro LED的像素点GaN矩阵结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种金字塔MicroLED的像素点GaN矩阵结构，其特征在于，包括： 一个具有正面和背面的半导体层； 一个集成在所述半导体层正面的GaN像素点矩阵，所述GaN像素点矩阵包括六个HEMT器件，所述六个HEMT器件通过串并联方式配置形成GaN像素点电路；以及 一个集成在所述半导体层背面的MicroLED； 其中，所述GaN像素点电路通过至少一个延伸穿过所述半导体层的通孔与所述MicroLED电连接，并且所述GaN像素点矩阵配置为根据外部信号精准地为所述MicroLED提供电压和电流，以实现不同亮度的显示效果； 所述六个HEMT器件包括： 一个第一HEMT器件和一个第四HEMT器件，形成开关模块； 一个第三HEMT器件，配置为使能管以控制所述MicroLED的关断； 一个第二HEMT器件，与所述MicroLED连接，配置为快速释放寄生电容以消除残影；以及 一个第五HEMT器件和一个第六HEMT器件，形成电流镜像结构，其中所述第五HEMT器件用作恒流驱动源以控制所述MicroLED的亮度；第一HEMT器件的源极连接第六HEMT器件的漏极，第二HEMT器件的源极与第三HEMT器件的漏极连接并连接MicroLED，第三HEMT器件的源极连接第五HEMT器件的漏极，第五HEMT器件的源极与第六HEMT器件的源极连接并接地，第二HEMT器件的漏极连接第四HEMT器件的漏极，第一HEMT器件的栅极连接第四HEMT器件的栅极，第五HEMT器件的栅极与第六HEMT器件的栅极连接并连接第四HEMT器件的源极； 所述第一HEMT器件、第二HEMT器件和第三HEMT器件具有1:50的栅极宽长比，所述第四HEMT器件、第五HEMT器件和第六HEMT器件具有1:100的栅极宽长比。

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