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龙图腾网获悉中科(深圳)无线半导体有限公司申请的专利一种势垒层凹槽刻蚀的GaN基增强型HEMT器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120751729B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511157188.5，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种势垒层凹槽刻蚀的GaN基增强型HEMT器件及其制备方法是由张静;麻胜恒;汪连山;陈福鑫;赵柏聿设计研发完成，并于2025-08-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种势垒层凹槽刻蚀的GaN基增强型HEMT器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种势垒层凹槽刻蚀的GaN基增强型HEMT器件及其制备方法，涉及半导体器件制造技术领域，其包括衬底、成核层、缓冲层、沟道层、第一势垒层、刻蚀阻挡层、第二势垒层、离子注入区、源漏极、栅介质层、栅极、钝化层及金属互连层。通过引入高Al组分刻蚀阻挡层并结合多凹槽结构设计，显著改善了栅极漏电性能、欧姆接触特性和击穿电压能力。本申请能够有效解决势垒层刻蚀方法的增强型GaN基HEMT器件中存在的界面态缺陷、栅极漏电及击穿电压不足等问题，具有重要的实际应用价值。

本发明授权一种势垒层凹槽刻蚀的GaN基增强型HEMT器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种势垒层凹槽刻蚀的GaN基增强型HEMT器件，包括衬底101和制备于衬底101一侧的外延层，其特征在于，所述外延层包括在衬底101上从下往上依次层叠设置的成核层102、缓冲层103、沟道层104、第一势垒层105和刻蚀阻挡层106，以及位于第一势垒层105上的第二势垒层107；所述外延层上还制备有从第二势垒层107向下延伸至缓冲层103的离子注入区109，在第二势垒层107的源漏极凹槽区域的底部设置的源漏极110，在外延层上远离衬底101一侧沉积栅介质层111，在栅介质层111的栅极凹槽区域的上方制备栅极112，在所述栅介质层111和栅极112上方制备钝化层113，通过依次刻蚀所述源漏极110和栅极112上方的钝化层113和栅介质层111形成开孔，在孔洞中沉积金属得到金属互连层114；其中，位于第二势垒层的栅极凹槽区域中的刻蚀阻挡层刻蚀为多凹槽结构，多凹槽结构的底部为第一势垒层，栅介质填充于凹槽结构中；沟道层104和第一势垒层105界面处由于极化效应形成二维电子气层108。

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