粤芯半导体技术股份有限公司王豫获国家专利权
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龙图腾网获悉粤芯半导体技术股份有限公司申请的专利一种晶圆光刻过程中对准失败的处理方法及装置获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120742630B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202511222740.4,技术领域涉及:G03F9/00;该发明授权一种晶圆光刻过程中对准失败的处理方法及装置是由王豫;钟鸿轩;赵鹏设计研发完成,并于2025-08-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种晶圆光刻过程中对准失败的处理方法及装置在说明书摘要公布了:本申请提供了一种晶圆光刻过程中对准失败的处理方法及装置,所述处理方法包括:若识别到晶圆的目标光刻阶段发生对准失败,确定是否存在至少一个未使用的备用对准标记;若存在,按预设选取规则从至少一个未使用的备用对准标记中,确定目标光刻阶段对晶圆进行再处理所需的目标对准标记;根据所述目标对准标记,并按照所述目标光刻阶段的操作流程对所述晶圆进行再处理,并在处理完成后获取质量评估参数;根据所述质量评估参数以及预设评估规则,确定所述目标光刻阶段的再处理过程是否成功。这样,本申请在对晶圆进行加工的过程中,若识别到存在对准失败,则自动更换对准标记进行再次处理,从而可有效提高光刻效率、提高产品产量以及降低人工成本。
本发明授权一种晶圆光刻过程中对准失败的处理方法及装置在权利要求书中公布了:1.一种晶圆光刻过程中对准失败的处理方法,其特征在于,所述处理方法包括: 若识别到晶圆的目标光刻阶段发生对准失败,确定是否存在至少一个未使用的备用对准标记; 若存在,按预设选取规则从所述至少一个未使用的备用对准标记中,确定所述目标光刻阶段对晶圆进行再处理所需的目标对准标记; 根据所述目标对准标记,并按照所述目标光刻阶段的操作流程对所述晶圆进行再处理,并在处理完成后获取质量评估参数; 根据所述质量评估参数以及预设评估规则,确定所述目标光刻阶段的再处理过程是否成功; 所述根据所述目标对准标记,并按照所述目标光刻阶段的操作流程对所述晶圆进行再处理,包括: 获取所述目标对准标记的套刻精度补偿值; 根据所述套刻精度补偿值修正目标机台的当前位姿参数,并获取所述目标光刻阶段再处理所需的控制程序; 根据所述控制程序控制进行位姿修正完成的目标机台按所述目标光刻阶段的操作流程对所述晶圆进行再处理。
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