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龙图腾网获悉浙江力积存储科技股份有限公司;力积日本株式会社申请的专利半导体存储装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120730747B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511235197.1，技术领域涉及：H10B80/00；该发明授权半导体存储装置是由久保贵志;苏景耀;川崎贤;于晓;邓学建设计研发完成，并于2025-09-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体存储装置在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体存储装置，其包括相互层叠的多个半导体芯片，且具有不同于现有技术的新颖结构。半导体存储装置包括相互层叠的内存芯片1‑1、1‑2。内存芯片1‑1、1‑2包括以相同布局配置在内存芯片1‑1、1‑2之间的电路元件和布线。内存芯片1‑1、1‑2各自具有彼此相对的表面和反面、以及配置在表面上的多个第一端子。内存芯片1‑1、1‑2的每一个中，多个第一端子关于与表面和反面正交的对称面呈镜像对称配置。内存芯片1‑1、1‑2以内存芯片1‑1的表面与内存芯片1‑2的表面相接的方式层叠，内存芯片1‑1的多个第一端子与内存芯片1‑2的多个第一端子连接。

本发明授权半导体存储装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储装置，其包括相互层叠的多个半导体芯片，其中， 所述多个半导体芯片包括以相同布局配置在所述多个半导体芯片之间的电路元件和布线， 所述多个半导体芯片各自具有彼此相对的第一面和第二面、以及配置在所述第一面上的多个第一端子， 所述多个半导体芯片的每一个中，所述多个第一端子关于与所述第一面和第二面正交的对称面呈镜像对称配置， 所述多个半导体芯片包括第一半导体芯片和第二半导体芯片， 所述第一半导体芯片和第二半导体芯片以所述第一半导体芯片的所述第一面与所述第二半导体芯片的所述第一面相接的方式层叠，所述第一半导体芯片的所述多个第一端子与所述第二半导体芯片的所述多个第一端子连接； 其中，所述多个半导体芯片各自进一步具有配置在所述第二面的多个第二端子； 其中，所述多个半导体芯片的每一个中， 所述多个第一端子包括第一端子组和第二端子组，所述第一端子组和第二端子组关于所述对称面呈镜像对称配置， 所述多个第二端子包括第三端子组和第四端子组，所述第三端子组和第四端子组关于所述对称面呈镜像对称配置， 所述第一端子组和第三端子组配置在所述对称面的同一侧， 所述第一端子组和第三端子组经由第一布线组相互连接， 所述第二端子组和第四端子组经由第二布线组相互连接， 所述第一布线组和第二布线组相对于所述对称面具有不对称的布局； 其中，所述多个半导体芯片的每一个中， 所述第一布线组中仅有一根布线与电路元件连接，所述第一布线组中的其余布线不与电路元件连接， 所述第二布线组中仅有一根布线与电路元件连接，所述第二布线组中的其余布线不与电路元件连接。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人浙江力积存储科技股份有限公司;力积日本株式会社，其通讯地址为：310020 浙江省杭州市钱塘区下沙街道天城东路433号和毓创新中心5幢(3-1#)16层1608室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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