青岛海存微电子有限公司张洪超获国家专利权
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龙图腾网获悉青岛海存微电子有限公司申请的专利磁存储单元和磁存储阵列获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120636491B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511135909.2，技术领域涉及：G11C11/16；该发明授权磁存储单元和磁存储阵列是由张洪超;耿梦瑶;李金浩;谢鹏;刘宏喜;王戈飞设计研发完成，并于2025-08-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本磁存储单元和磁存储阵列在说明书摘要公布了：本申请提供一种磁存储单元和磁存储阵列，该磁存储单元包括自旋轨道矩层、设置在自旋轨道矩层上的多个磁隧道结、设置在自旋轨道矩层下的多个辅助翻转结构，磁隧道结在垂直方向上的投影与对应的辅助翻转结构呈全部或部分重叠；通过控制第一磁隧道结顶部和与其对应的第一辅助翻转结构底部的电势，使对应的第一辅助翻转结构产生辅助磁场，实现对应的第一磁隧道结的数据写入；和或，通过控制第二磁隧道结顶部和与其对应的第二辅助翻转结构底部的电势，使对应的第二辅助翻转结构不产生辅助磁场，使对应的第二磁隧道结不写入数据。这样，通过在自旋轨道矩层下设置与磁隧道结对应的多个辅助翻转结构，提升与非型磁性随机存储器的选通性。
本发明授权磁存储单元和磁存储阵列在权利要求书中公布了：1.一种磁存储单元，其特征在于，包括自旋轨道矩层、设置在所述自旋轨道矩层上的多个磁隧道结、设置在所述自旋轨道矩层下的多个辅助翻转结构，所述磁隧道结在垂直方向上的投影与对应的所述辅助翻转结构呈全部或部分重叠； 所述辅助翻转结构包括沿所述垂直方向自上而下依次堆叠的第一非磁性层、磁性层和第二非磁性层； 通过控制第一磁隧道结顶部和与其对应的第一辅助翻转结构底部的电势，以控制所述第一辅助翻转结构顶底部之间的电势差，调控所述磁性层的磁矩方向，使对应的所述第一辅助翻转结构产生辅助磁场，实现对应的所述第一磁隧道结的数据写入；和或，通过控制第二磁隧道结顶部和与其对应的第二辅助翻转结构底部的电势，以控制所述第二辅助翻转结构顶底部之间的电势差，调控所述磁性层的磁矩方向，使对应的所述第二辅助翻转结构不产生辅助磁场，使对应的所述第二磁隧道结不写入数据。
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