武汉光谱同位素科技有限公司戴佳明获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉光谱同位素科技有限公司申请的专利一种热解吸激光辅助等离子体源装置及其使用方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120614740B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510763558.3，技术领域涉及：H05H1/28；该发明授权一种热解吸激光辅助等离子体源装置及其使用方法是由戴佳明;袁旦伟;叶珉昊;张传洲设计研发完成，并于2025-06-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种热解吸激光辅助等离子体源装置及其使用方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体器件制造技术领域，提出了一种热解吸激光辅助等离子体源装置及其使用方法，包括金属外壳、陶瓷管、接地电极和冷却套；所述冷却套包括固定座、控制管和控制球，所述固定座固定设置在所述金属外壳上，且内部设有空腔；所述控制管上设有两个连通孔，所述连通孔与所述空腔和所述控制管的内部相连通；所述控制球活动设置在所述控制管内，且所述控制球封堵所述连通孔或封堵所述控制管内位于两个所述连通孔中间的位置。本发明通过设置固定座、控制管和控制球，利用对控制管的调节，可以让控制球封堵连通孔或控制管，以快速改变冷却介质的流动路径，调节冷却套的冷却效果，使本等离子体源装置适应于不同的使用工况。
本发明授权一种热解吸激光辅助等离子体源装置及其使用方法在权利要求书中公布了：1.一种热解吸激光辅助等离子体源装置，其特征在于：包括金属外壳1、陶瓷管2、接地电极3和冷却套4，其中， 所述金属外壳1的周侧上开设有进气口101； 所述陶瓷管2固定设置在所述金属外壳1内，并与其间隔设置； 所述接地电极3固定设置在所述陶瓷管2内； 所述冷却套4包括固定座41、控制管42和控制球43，所述固定座41固定设置在所述金属外壳1上，且内部设有空腔401；所述控制管42位于所述空腔401内，其两端均伸出所述固定座41，并与其转动连接，所述控制管42上设有两个连通孔402，所述连通孔402与所述空腔401和所述控制管42的内部相连通；所述控制球43活动设置在所述控制管42内，且所述控制球43封堵所述连通孔402或封堵所述控制管42内位于两个所述连通孔402中间的位置。
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