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中国计量科学研究院杨雁获国家专利权

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龙图腾网获悉中国计量科学研究院申请的专利一种改进型片上电容标准单元及其制作方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120214670B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510275145.0,技术领域涉及:G01R35/00;该发明授权一种改进型片上电容标准单元及其制作方法是由杨雁;赵硕;冉自烜;江亚东设计研发完成,并于2025-03-10向国家知识产权局提交的专利申请。

一种改进型片上电容标准单元及其制作方法在说明书摘要公布了:本发明属于标准电容技术领域,并公开了一种改进型片上电容标准单元及其制作方法,包括基础结构和增加叉指电极对的标准结构,相邻叉指电极对同侧相邻。标准电容值为标准结构与基础结构电容值之差,且与叉指电极对数呈线性关系,通过名义步进电容值表征。为达到预设目标步进电容值,首先对电容标准单元进行仿真和计算,得到对应结构参数。随后,在该参数左右范围内制作多个实物,测量其步进电容值。选择最接近目标的实物对应的结构参数作为最优设计参数,并应用于电容标准单元的设计中。本发明所述技术方案能够确保电容的精确测量和稳定性。

本发明授权一种改进型片上电容标准单元及其制作方法在权利要求书中公布了:1.一种改进型片上电容标准单元,包括基础结构和标准结构,所述基础结构由探针接触电极和连接线组成,所述标准结构是在所述基础结构上增加叉指电极对构成,其特征在于,所述叉指电极对设置有若干对,相邻所述叉指电极对之间同侧的电极相邻,在增加叉指电极对时先对现有的叉指电极对水平镜像翻转后再增加,保证相邻的叉指电极对之间互为水平镜像翻转,片上电容标准单元的标准电容值为标准结构电容与基础结构的电容值之差,所述标准结构电容的名义步进电容与标准电容的叉指电极对数呈线性关系,所述名义步进电容值是指每增加一对叉指电极所对应增加的电容值。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人中国计量科学研究院,其通讯地址为:100029 北京市朝阳区北三环东路18号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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