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龙图腾网获悉张江国家实验室申请的专利装置制备方法和半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120184020B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510387316.9，技术领域涉及：H01L21/48；该发明授权装置制备方法和半导体装置是由李桢;韩源源;姜钰;张洁;易海兰;杨建国设计研发完成，并于2025-03-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本装置制备方法和半导体装置在说明书摘要公布了：本公开提供了一种装置制备方法和半导体装置。其中，所述装置制备方法包括：同步地形成第一芯片中的第一导电件和第一导热件，其中，所述第一导电件和所述第一导热件电隔离；同步地形成第二芯片中的第二导电件和第二导热件，其中，所述第二导电件和所述第二导热件电隔离；以及接合所述第一芯片和所述第二芯片，以使所述第一导热件与所述第二导热件热连通并形成导热通道。

本发明授权装置制备方法和半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种装置制备方法，其特征在于，所述装置制备方法包括： 同步地形成第一芯片中的第一导电件和第一导热件，其中，所述第一导电件和所述第一导热件电隔离； 同步地形成第二芯片中的第二导电件和第二导热件，其中，所述第二导电件和所述第二导热件电隔离；以及 接合所述第一芯片和所述第二芯片，以使所述第一导热件与所述第二导热件热连通并形成导热通道， 其中，同步地形成第一芯片中的第一导电件和第一导热件包括：在第一芯片的第一预设层中形成多个第一通孔，并在所述多个第一通孔中填充导电导热材料，以同步地形成第一导电件的第一导电部分和第一导热件的第一导热部分；和或在第一芯片的第二预设层上形成一层或多层第一布线，以同步地形成第一导电件的第二导电部分和第一导热件的第二导热部分，其中，所述一层或多层第一布线在与厚度方向垂直的平面中延伸， 其中，同步地形成第二芯片中的第二导电件和第二导热件包括：在第二芯片的第三预设层中形成多个第二通孔，并在所述多个第二通孔中填充导电导热材料，以同步地形成第二导电件的第三导电部分和第二导热件的第三导热部分；和或在第二芯片的第四预设层上形成一层或多层第二布线，以同步地形成第二导电件的第四导电部分和第二导热件的第四导热部分，其中，所述一层或多层第二布线在与厚度方向垂直的平面中延伸。

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