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龙图腾网获悉安徽格恩半导体有限公司申请的专利一种半导体紫光紫外波段的激光器元件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120016286B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510084796.1，技术领域涉及：H01S5/20；该发明授权一种半导体紫光紫外波段的激光器元件是由寻飞林;郑锦坚;邓和清;蓝家彬;蔡鑫;陈婉君;李晓琴;胡志勇;张江勇;李水清设计研发完成，并于2025-01-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体紫光紫外波段的激光器元件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体紫光紫外波段的激光器元件，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、上限制层，所述上波导层与上限制层之间具有层间相干空穴隧穿层，所述层间相干空穴隧穿层包括第一层间相干空穴隧穿层、第二层间相干空穴隧穿层和第三层间相干空穴隧穿层。本发明构建高度周期性的静电势，调谐Feshbach分子共振来增强激光器中驻留在不同层的激子和空穴相互作用，降低p型半导体的Mg受主激活能，提升Mg的离化效率，从而诱导激光器的空穴产生层间相干空穴隧穿注入有源层，提升有源层的空穴注入效率，提升有源层电子和空穴的匹配度和均匀性，提升激光元件的光功率和斜率效率。

本发明授权一种半导体紫光紫外波段的激光器元件在权利要求书中公布了：1.一种半导体紫光紫外波段的激光器元件，从下至上依次包括衬底100、下限制层101、下波导层102、有源层103、上波导层104、上限制层105，其特征在于，所述上波导层104与上限制层105之间具有层间相干空穴隧穿层106， 所述层间相干空穴隧穿层106为GaN、InGaN、InN、AlInN、AlGaN、AlInGaN、AlN、GaAs、GaP、InP、AlGaAs、AlInGaAs、AlGaInP、InGaAs、InGaAsN、AlInAs、AlInP、AlGaP、InGaP、GaSb、InSb、InAs、InAsSb、AlGaSb、AlSb、InGaSb、AlGaAsSb、InGaAsSb、SiC、Ga2O3、BN、金刚石的任意一种或任意组合； 所述层间相干空穴隧穿层106包括第一层间相干空穴隧穿层106a、第二层间相干空穴隧穿层106b和第三层间相干空穴隧穿层106c； 所述第一层间相干空穴隧穿层106a的空穴迁移率为d，第二层间相干空穴隧穿层106b的空穴迁移率为e，第三层间相干空穴隧穿层106c的空穴迁移率为f，其中：5＜e＜f＜d＜1000，单位为cm2V·s； 所述第一层间相干空穴隧穿层106a的电子有效质量为g，第二层间相干空穴隧穿层106b的电子有效质量为h，第三层间相干空穴隧穿层106c的电子有效质量为i，其中：0.01＜g＜i＜h＜5； 所述第一层间相干空穴隧穿层106a的电子亲和能为j，第二层间相干空穴隧穿层106b的电子亲和能为k，第三层间相干空穴隧穿层106c的电子亲和能为l，其中：0.1＜l＜k＜j＜10，单位为eV； 所述第一层间相干空穴隧穿层106a的峰值速率电场为m，第二层间相干空穴隧穿层106b的峰值速率电场为n，第三层间相干空穴隧穿层106c的峰值速率电场为p，其中：20＜m＜p＜n＜1000，单位为kVm。

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