北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司;中国科学院微电子研究所崔岩获国家专利权
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龙图腾网获悉北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司;中国科学院微电子研究所申请的专利一种实现多数表决运算的存储单元及其控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120015077B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411928578.3，技术领域涉及：G11C11/16；该发明授权一种实现多数表决运算的存储单元及其控制方法是由崔岩;邹思楠;罗军设计研发完成，并于2024-12-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种实现多数表决运算的存储单元及其控制方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种实现多数表决运算的存储单元及其控制方法。该存储单元包括：由上至下依次堆叠的N个磁隧道结，N为大于2的整数；其中，每个所述磁隧道结至少包括：由下至上依次堆叠的钉扎层、参考层、隧穿层以及自由层；所有所述磁隧道结的切换电流由上至下依次增大，并且所有所述磁隧道结的高阻态电阻由上至下依次减小。本公开设计了一种新的存储单元结构，通过堆叠的设计将多个磁隧道结设置在一个器件面积内，同时取消作为逻辑输出的MTJ，以堆叠的MTJ的总电阻作为多数表决的运算结果输出，即可以减少存内计算电路的面积开销，又可以提升逻辑运算的计算效率，避免运算延迟的情况发生。
本发明授权一种实现多数表决运算的存储单元及其控制方法在权利要求书中公布了：1.一种实现多数表决运算的存储单元，其特征在于，包括： 由上至下依次堆叠的N个磁隧道结，N为大于2的整数；其中， 每个所述磁隧道结至少包括：由下至上依次堆叠的钉扎层、参考层、隧穿层以及自由层； 所有所述磁隧道结的切换电流由上至下依次增大，并且所有所述磁隧道结的高阻态电阻由上至下依次减小； 所述存储单元的控制方法包括： 对存储单元中每个磁隧道结的阻态进行初始化，使每个磁隧道结的阻态均为高阻态； 根据多数表决运算的N个输入值，依次向所述存储单元的输入端施加N个写入电压，以调整所述磁隧道结的阻态； 获取N个所述磁隧道结的总电阻，并根据所述总电阻的值确定多数表决运算的运算结果。
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