南方科技大学陈鹏获国家专利权
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龙图腾网获悉南方科技大学申请的专利一种二维半导体晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119997570B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411197331.9，技术领域涉及：H10D30/67；该发明授权一种二维半导体晶体管及其制备方法是由陈鹏;刘贤龙;李宇轩设计研发完成，并于2024-08-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种二维半导体晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及电子器件领域，尤其涉及一种二维半导体晶体管及其制备方法。所述二维半导体晶体管包括衬底，依次设置在衬底上的二维半导体层、半金属层和金属覆盖层，所述半金属层的材料为铋或锑，所述金属覆盖层的材料为金；其中当半金属层的材料为铋时，半金属层与金属覆盖层的厚度比大于1.05:1；当半金属层的材料为锑时，半金属层与金属覆盖层的厚度比大于3.58:1。本发明通过设计半金属层与金覆盖层之间的厚度比例，使半金属层的原子处于过量的状态，使得器件在经过热处理后，半金属层与金覆盖层发生界面合金化反应之后仍然有半金属层保留，器件的接触仍然能保持半金属BiSb‑二维半导体材料接触界面，从而提升二维半导体器件的热稳定性。
本发明授权一种二维半导体晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种二维半导体晶体管的制备方法，其特征在于，包括： 提供具有二维半导体层的衬底； 在二维半导体层上依次沉积半金属层和金属覆盖层，所述半金属层的材料为锑，所述金属覆盖层的材料为金，得到所述二维半导体晶体管； 所述半金属层与所述金属覆盖层的厚度比大于3.58:1。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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