西安电子科技大学许晟瑞获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种张应变高空穴迁移率场效应晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119997546B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510087186.7，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种张应变高空穴迁移率场效应晶体管及其制备方法是由许晟瑞;刘旭;陶鸿昌;张涛;苏华科;邓创;高源;王心颢;谢磊;朱家铎;郝跃设计研发完成，并于2025-01-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种张应变高空穴迁移率场效应晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种张应变高空穴迁移率场效应晶体管，包括：基衬底、基板、缓冲层、势垒层、插入层、空间隔离层、空穴供给层、源电极、漏电极和栅电极；基板采用多晶AlN材料，基板上开设有多个盲孔；在基板上生长缓冲层时，缓冲层的材料在基板表面和多个盲孔侧壁生长并合并以引入张应变；势垒层位于缓冲层上，插入层位于上述势垒层上，空间隔离层位于上述插入层上，空穴供给层位于空间隔离层上，源电极、漏电极和栅电极位于空穴供给层上。本发明还公开了一种张应变高空穴迁移率场效应晶体管的制备方法。本发明通过在开有盲孔的多晶AlN基板上进行p沟道异质结的外延，可以对应力的引入和分布进行精准控制从而来实现空穴迁移率的提升。
本发明授权一种张应变高空穴迁移率场效应晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种张应变高空穴迁移率场效应晶体管，其特征在于，包括：衬底、缓冲层、势垒层、插入层、空间隔离层、空穴供给层、源电极、漏电极和栅电极； 所述衬底包括：基衬底和位于基衬底上的基板； 所述基板采用多晶AlN材料，所述基板上开设有多个盲孔；所述多个盲孔均匀布置； 其中，所述缓冲层位于所述基板上，在所述基板上生长缓冲层时，缓冲层的材料在基板表面和多个盲孔侧壁生长并合并以引入张应变； 所述势垒层位于所述缓冲层上，所述插入层位于上述势垒层上，所述空间隔离层位于上述插入层上，所述空穴供给层位于所述空间隔离层上，所述源电极、所述漏电极和所述栅电极位于所述空穴供给层上。
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