南京理工大学陈翔获国家专利权
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龙图腾网获悉南京理工大学申请的专利一步化学气相沉积合成二维钨酸铋纳米片的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119980186B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311496479.8，技术领域涉及：C23C16/40；该发明授权一步化学气相沉积合成二维钨酸铋纳米片的方法是由陈翔;冯一平;李林芸;刘本强设计研发完成，并于2023-11-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一步化学气相沉积合成二维钨酸铋纳米片的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种一步化学气相沉积合成二维钨酸铋纳米片的方法。所述方法以Bi2O3和Na2WO4·2H2O粉末作为前驱体，将Bi2O3粉末放入耐高温石英舟中并置于管式炉第一温区，将倒置洁净单抛光蓝宝石衬底并装载了Na2WO4·2H2O粉末的石英舟放置在第二温区，使用混合高纯ArO2作为输运气体，通过调控温度、保温时间、压强、输运距离、载气流量以及比例，得到不同形核密度、尺寸和厚度的二维Bi2WO6纳米片。本发明方法便捷高效、环境友好，制得的二维Bi2WO6纳米片形核密度高，尺寸和厚度可调控，并具备良好的理化稳定性，可用于进一步开发和集成二维高性能电子与光电子器件。
本发明授权一步化学气相沉积合成二维钨酸铋纳米片的方法在权利要求书中公布了：1.一步化学气相沉积合成二维Bi2WO6纳米片的方法，其特征在于，包括以下步骤： 将Na2WO4·2H2O粉末均匀放入石英舟中作为钨前驱体源，随后将洁净蓝宝石衬底倒扣在上述石英舟上并置于管式炉第二温区，将Bi2O3粉末均匀放入另一只石英舟中作为铋前驱体源并置于管式炉第一温区，Bi2O3粉末和Na2WO4·2H2O粉末中心间距为30~35cm，通入高纯氩气清洗排出残留空气后，将第一温区升温至865℃，保温10~30min，第二温区升温至550~565℃，保温10~30min，持续通入氩气作为输运气体，当第二温区升至反应温度时通入O2，调节Ar:O2的流量比为120~130sccm：20~30sccm，调节管式炉腔内气压为150Pa，将第一温区挥发扩散的Bi2O3粉末气相传输至第二温区，发生化学反应并在蓝宝石衬底上形核长大，得到二维Bi2WO6纳米片。
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